반도체 레이저 다이오드를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판(1)상에 완충층(2), 제1피복층(3), n형 활성층(4), 제2피복충(5) 및 표면층(6)이 순차로 적층된 구조의 에피택셜층을 성장시키는 단계와, 상기 에피택셜층에 실리콘 질화막(7)을 증착하고 형상반전 리소그라치에 의해 활성도우핑 영역을 정의한 후 상기 실리콘 질화막(7)을 식각하는 단계와, 상기 활성도우핑 영역에 p형 확산원을 주입한 후 1차 열처리를 수행하여 확산층(8)을 형성시키는 단계와, 웨이퍼의 표면에 보호층(9)을 형성한 후 2차 열처리를 급속열처리 방법을 사용하여 수행하여 p형 활성층(10)을 형성하는 단계와, 상기 보호층(9)의 오믹접촉 부분을 2단계 식각하므로써 안정된 고립영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 p형 확산원은 GaAs : ZnAs2 : Zn2As3 =1 : 1 : 2의 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 활성층의 2차 열처리는 급속열처리로 수행되고 열처리 온도 및 시간은 불순물의 확산거리와 상기 실리콘 질화막(7)의 안정도에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법

제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 1차 및 2차 열처리가 각각 수행된 직후에 상기 불순물에 의해 상기 웨이퍼가 오염되는 것을 방비하기 위해 급냉시키고 Hcl : H2O= 1 : 1의 용액으로 세척하는 단계를 각각 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 보호층(9)을 식각하는 단계는 NHO3 : H2O2: H2O=20 : 7 : 974의 용액을 사용하여 60°의 경사각으로 1/2식각하는 단계와, NH4OH : H2O2 : H2O=20 : 7 : 974의 용액을 사용하여 45°의 경사각으로 1/2 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법