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반도체광집적소자의제조방법

  • 기술번호 : KST2015094399
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 여러 광소자들과 광도파로를 단일 칩으로 집적시킨 광집적소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 특히 광도파로와 광증폭기등과 같은 능동 광소자를 단일 칩으로 집적화시킴에 있어서, 간단한 공정으로 전류집속과 광접속 효율을 동시에 극대화시킬 수 있는 광집적 소자의 제조 방법에 관한 것이다.RIE 식각등의 건식식각법을 이용하여 광증폭기등과 같은 능동 소자를 구성하는 층이 성장되어진 InP웨이퍼를 (001)면의 수직인 면으로 식각한 후에 도파로의 코아층 및 클래드층을 MOCVD에 의한 2차 결정 성장 공정을 이용하여 광접속 효율을 높이는 제작 방법이다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019940032105 (1994.11.30)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0155509-0000 (1998.07.15)
공개번호/일자 10-1996-0019809 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19981015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오광룡 대한민국 대전직할시유성구
2 안주헌 대한민국 대전직할시유성구
3 김정수 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144649-14
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144650-61
3 특허출원서
Patent Application		 1994.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144648-79
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144651-17
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144652-52
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.03.17 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144653-08
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0080772-36
8 의견서
Written Opinion		 1998.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144655-99
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.05.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144654-43
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0080774-27
11 등록사정서
Decision to grant		 1998.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0080773-82
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

능동 소자와 광도파로를 단일 칩으로 집적시키는 반도체 광집적 소자 제조 방법에 있어서, a) 기판 위에 임의의 능동 소자를 구성하는 다수의 층들을 성장하고, b) 습식식각 또는 RIE 식각의 건식식각법 등을 이용하여 상기 능동 소자의 패턴을 남기고 상기 성장되어진 층들을 (001) 면의 수직면으로 식각하며, c) 광접속을 시키고자 하는 도파로의 코아층 및 클래드층을 MOCVD에 의한 결정 성장 공정으로 성장시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광집적 소자의 제조방법

2 2

InP 클래드층/InGaAsP 활성층 또는 코아층/InP 클래드층(2, 3, 4)으로 구성된 이종 접합을 갖는 광소자와 도파로가 집적된 반도체 광집적 소자의 제조 방법에 있어서, a) 기판위에 InP/InGaAsP/InP층(2, 3, 4)을 1차 결정 성장하고, b) 습식 식각 또는 RIE 건식 식각등으로 상기 InP/InGaAsP층(3, 4)을 식각하여 수 ㎛ 이하의 폭을 갖는 11 방향으로 Rib 형태를 형성시키고, c) MOCVD로서 접속시키고자 하는 도파로 구성을 위하여 InGaAsP(6) 및 InP층(7)을 차례로 성장시키며, d) InP층(7) 성장 시에 Rib 패턴의 가장자리 부분에서 (111)면이 형성되어지고 이 위에 InGaAs(또는 InGaAsP)(11)를 성장하게 되면 (001)의 평면에는 정상적인 성장이 이루어지나 Rib 패턴 위의 (111)면에 대해서는 InGaAs(또는 InGaAsP)(11)가 성장되지 않게 하는 현상을 이용하여 InGaAs(또는 InGaAsP)(11)를 자기정렬(self-aligned)마스크로 사용하고 H3PO4 : HC1와 같은 선택 식각 액으로 Rib 부분 위의 재 성장된 InP층(7)을 식각을 하고 InGaAsP층(6)을 H3PO4 : H2O2와 같은 선택 식각액으로 식각을 하여 e) p-InP(12) 및 p-InGaAs(13)의 캡층을 성장하는 것을 특징으로 하는 임의의 광소자와 도파로가 집적된 반도체 광집적 소자의 제조 방법

3 3

집적시키고자 하는 임의의 광소자 구성을 위한 n-InP 버퍼층(2), InGaAsP 활성층(3) 및 p-InP 클래드층(4)을 InP웨이퍼(1)상에 순차적으로 형성하는 1차 결정성장 공정; 상기 버퍼층(2)상의 능동 광소자를 구성하는 층들을 RIE(Reactive Ion Etching)에 의한 건식식각 공정을 이용하여 (001)면의 수직인 11 방향으로 수 ㎛ 이하의 폭을 갖는 Rib 패턴을 형성하는 공정; MOCVD 방법을 이용하여 도파로 구성을 위한 InGaAsP 코아층(6) 및 n/p/n 구조의 InP클래드층(또는 전류차단층)들(8, 9, 10)을 형성하되, 상기 (001)의 수직인 11 방향의 상기 Rib 패턴상의 (111) 면에는 재 성장되지 않도록 하는 2차 결정 성장 공정; 및 상기 Rib 패턴상의 재 성장된 p-InP 클래드층(12) 및 p-InGaAs캡층(13)을 형성하는 3차 결정 성장 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 능동소자와 도파로가 집적된 반도체 광집적 소자의 제조 방법

4 4

매립형 반도체 레이저와 도파로를 단일칩으로 집적시키는 반도체 광집적 소자의 제조 방법에 있어서, a) n-InP 버퍼층(2), 도핑않된(undoped)-InGaAsP 활성층(3), p-InP 클래드층(4)을 기판 위에 1차로 결정 성장하고, b) 습식식각 또는 RIE와 같은 건식식각을 이용하여 p-InP클래드층(4)을 식각하여 수 ㎛ 이하의 폭을 갖는 Rib 형태를 11 방향으로 형성시킨 후에 e) MOCVD를 이용하여 선택 식각 차단층으로서 p-InGaAs(또는 p-InGaAsP)층(6)을 얇게 성장하고 전류차단층인 p-InP(8), n-InP(9) 및 p-InP층(10)을 차례로 성장시키고, f) InP 성장시에 (111)면이 형성되어지고, 이 위에 InGaAs(또는 InGaAsP)(11)가 성장되지 않게 되는 결과로 형성된 자동 정렬된 InGaAs 식각 마스크로 사용하고, H3PO4 : HC1와 같은 선택 식각 액으로 Rib 부분 위의 재 성장된 p-InP/n-InP/p-InP 전류차단층(8, 9, 10)을 식각하고 p-InGaAs(InGaAsP)층(11)을 H3PO4 : H2O2와 같은 선택 식각액으로 식각을 하여 선택식각하여 제거하고, g) 클래드층인 p-InP(12) 및 p-InGaAs의 캡층(13)을 성장한 후에 일반적인 p형 n형 전극 형성 공정을 이용하여 매립형 레이저 다이오드와 도파로가 집적된 소자를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 광집적 소자의 제조 방법

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1 JP02742391 JP 일본 FAMILY
2 JP08162625 JP 일본 FAMILY
3 US05661077 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE4445566 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 JP2742391 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP8162625 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JPH08162625 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US5661077 US 미국 DOCDBFAMILY
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