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쌍극자트랜지스터용콜렉터제조방법

  • 기술번호 : KST2015094401
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 컴퓨터나 통신기기 등의 차세대 고속 정보처리 시스템에 널리 이용되고 있는 고속 쌍극자 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 콜렉터 전극인 매몰층을 저항이 매우 낮은 금속 실리사이드 박막으로 형성하는 쌍극자 트랜지스터용 콜렉터 제조방법에 관한 것이다.구체적으로 상술한 바와같이 구성된 본 발명은 서브콜렉터를 저항이 매우 낮은 금속성 박막을 이용함으로써 콜렉터 기생저항을 극소화시켜 초고주파 응답특성이 매우 우수한 쌍극자 트랜지스터의 제작을 가능하게 하였고, 또한, 실리콘 콜렉터를 기존의 LOCOS방법이 아닌 식각에 의하여 정의하고 절연막을 형성함으로써, 소자의 크기를 줄여 집적도를 크게 증가시킬 수 있는 쌍극자 트랜지스터용 콜렉터의 제조가 가능하게 되었다.상기와 같은 결과로 인하여 고속 정보처리 및 저전력을 요하는 고속 컴퓨터 및 통신기기 등 정보처리 시스템에서 실리콘 쌍극자 트랜지스터의 한계를 대폭 확장시켜서 실리콘 쌍극자 트랜지스터의 응용범위가 화합물 고속소자의 영역까지 확장하게 되었다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 29/0821(2013.01) H01L 29/0821(2013.01)
출원번호/일자 1019940032663 (1994.12.03)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0150488-0000 (1998.06.15)
공개번호/일자 10-1996-0026154 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19981201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.03)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수민 대한민국 대전직할시유성구
2 조덕호 대한민국 대전직할시유성구
3 한태현 대한민국 대전직할시유성구
4 이성현 대한민국 대전직할시유성구
5 염병렬 대한민국 대전직할시유성구
6 강진영 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0147016-59
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0147015-14
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0147014-68
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0147017-05
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0147018-40
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0082130-92
7 의견서
Written Opinion		 1998.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0147020-32
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0147021-88
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0147019-96
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0082131-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

쌍극자 트랜지스터용 콜렉터의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판(21)에 고농도의 불순물이 주입된 서브콜렉터(22)와 시리콘 콜렉터(23) 및 절연막(24)을 순차적으로 형성하는 제1공정과; 상기 절연막(24) 및 상기 실리콘 콜렉터(23)를 패터닝(patterning)하여 상기 서브콜렉터(22) 위에 활성영역을 정의한 후, 상기 실리콘 콜렉터(23)의 양측면에 측벽막(25)을 형성하는 제2공정과; 고융점 금속박막을 증착하고 열처리하여 상기 서브콜렉터(22)상의 정의된 활성영역 이외의 영역에만 선택적으로 실리사이드(26)를 형성시킨 후, 상기 측벽막(25)과 상기 절연막(24) 위에 잔류하는 금속박막을 제거하는 제3공정과; 상기 기판 상부의 전면을 충분히 피복할 수 있을 정도의 두께로 산화막(27)을 도포하는 제4공정과; 상기 산화막(27)을 평탄화하고 상기 절연막(24)을 제거하는 제5공정으로 구성되어 콜렉터 기생저항을 크게 줄여 초고주파 응답특성이 우수한 쌍극자 트랜지스터용 콜렉터 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제2공정에서의 상기 고융점 금속 박막은 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co), 탄탈륨(Ta), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 니오븀(Nb) 및 크롬(Cr) 중의 어느 하나로 구성된 것을 사용하여 선택적 금속 실리사이드(26)를 형성하는 것을 특징으로 하는 쌍극자 트랜지스터용 콜렉터 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 측벽막(25)을 형성하는 제2공정에 있어서 단층구조의 질화막(Si3N4) 대신 산화막(SiO2)/질화막 혹은 산화막/질화막/산화막과 같은 다층구조를 이용하여 상기 측벽막(25)을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 쌍극자 트랜지스터용 콜렉터 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.