| 1 |
1
수직 핀(positive-intrinsic-negative, PIN) 다이오드(diode)로서,진성(intrinsic) 계층;상기 진성 계층의 제1 면에 위치한 N-유형 계층;상기 제1 면과 대향하는 상기 진성 계층의 제2 면에 위치한 P-유형 계층;상기 P-유형 계층으로부터 상기 제1 면까지 연장되어 형성된 연결 영역;상기 N-유형 계층에 위치한 제1 전극; 및상기 제1 면에 형성된 상기 연결 영역에 위치한 제2 전극을 포함하는 수직 핀 다이오드
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 수직 핀 다이오드는,상기 진성 계층의 제1 면 및 상기 N-유형 계층에 위치한 제1 산화 계층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 수직 핀 다이오드는,상기 진성 계층의 제2 면 및 상기 P-유형 계층에 위치한 제2 산화 계층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 동일 방향에 형성된 면에 위치하는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 연결 영역은 전도성을 가진 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 연결 영역은 트렌치(trench) 형상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 연결 영역 중에서 상기 P-유형 계층에 접하는 면은 상기 제1 면에 접하는 면보다 작은 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
| 8 |
8
수직 핀(positive-intrinsic-negative, PIN) 다이오드(diode)로서,진성(intrinsic) 계층;상기 진성 계층의 제1 면에 위치한 P-유형 계층;상기 제1 면과 대향하는 상기 진성 계층의 제2 면에 위치한 N-유형 계층;상기 N-유형 계층으로부터 상기 제1 면까지 연장되어 형성된 연결 영역;상기 P-유형 계층에 위치한 제1 전극; 및상기 제1 면에 형성된 상기 연결 영역에 위치한 제2 전극을 포함하는 수직 핀 다이오드
|
| 9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 수직 핀 다이오드는,상기 진성 계층의 제1 면 및 상기 P-유형 계층에 위치한 제1 산화 계층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
| 10 |
10
청구항 8에 있어서,상기 수직 핀 다이오드는,상기 진성 계층의 제2 면 및 상기 N-유형 계층에 위치한 제2 산화 계층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
| 11 |
11
청구항 8에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 동일 방향에 형성된 면에 위치하는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
| 12 |
12
청구항 8에 있어서,상기 연결 영역은 전도성을 가진 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
| 13 |
13
청구항 8에 있어서,상기 연결 영역은 트렌치(trench) 형상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
| 14 |
14
청구항 8에 있어서,상기 연결 영역 중에서 상기 N-유형 계층에 접하는 면은 상기 제1 면에 접하는 면보다 작은 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 수직 핀 다이오드
|
