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반도체기판상의유전체막형성방법

  • 기술번호 : KST2015094429
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판상에 유전체막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판상에 유전체막을 형성하는 공정과, 불소함유 가스를 유전체막으로 주입하여 유전체막과 실리콘 기판 사이의 계면에 불소가 주입되도록 하는 공정과, 불소주임된 실리콘기판을 열처리하는 공정을 포함한 것이다.
Int. CL H01L 21/314 (2006.01)
CPC H01L 21/3225(2013.01) H01L 21/3225(2013.01) H01L 21/3225(2013.01)
출원번호/일자 1019920025009 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0105536-0000 (1996.10.04)
공개번호/일자 10-1994-0016581 (1994.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019960008903 (19960705) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병곤 대한민국 대전직할시서구
2 유종선 대한민국 대전직할시대덕구
3 노태문 대한민국 대전직할시중구
4 남기수 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135791-10
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135793-01
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135792-55
4 특허출원서
Patent Application		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135790-64
5 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135794-46
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.11.19 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135795-92
7 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135796-37
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135797-83
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045159-23
10 의견서
Written Opinion		 1996.02.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135798-28
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.02.29 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135799-74
12 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045160-70
13 등록사정서
Decision to grant		 1996.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045161-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판(1)상에 유전체막(2)을 형성하는 공정과, 그 유전체막(2)으로 산화막을 성장시키는 공정중 마지막 3 내지 5분간 불소함유가스를 도입하는 공정과, 그 불소도입공정 후 900℃에서 10분 정도 열처리하여 그 유전체막(2)과 상기 실리콘 기판(1) 사이의 계면에 불소원자를 축적시켜 계면준위 밀도를 감소시키는 공정을 포함하는 반도체 기판상의 유전체막 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 유전체막(2) 형성 공정은, 상기 실리콘 기판(1)을 석영관로내 넣고 900℃의 온도에서 O2 가스 또는 O3가스를 도입하여 10nm 정도의 두께로 SiO2막을 상기 유전체막(2)으로 성장시키키는 것을 특징으로 하는 반도체 기판상의 유전체막 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.