| 1 |
1
금속 화합물로 형성되는 단일 타겟(single target)을 제공하는 단계;상기 단일 타겟을 이용하여 기판 상에 단층(single layer)의 금속 전구체 박막을 형성하는 단계; 및상기 금속 전구체 박막에 셀렌화 공정을 수행하는 단계를 포함하는 광흡수층 제조방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 금속 화합물은 CuIn, CuGa, CuInGa, 또는 CuZnSn인 광흡수층 제조방법
|
| 3 |
3
청구항 2에 있어서,상기 금속 화합물의 조성비는 Cu:In=(1-x):x (x는 15% 내지 25%), Cu:Ga=(1-y):y (y는 15% 내지 25%), Cu:In:Ga=(1-a-b:a:b) (a는 45% 내지 55%, b는 8% 내지 15%), 또는 Cu:Zn:Sn=(1-c-d:c:d) (c는 23% 내지 28%, d는 5% 내지 10%)인 광흡수층 제조방법
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 금속 전구체 박막은 상기 단일 타겟과 동일한 조성을 가지는 금속 화합물로 형성되는 광흡수층 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서, 상기 금속 전구체 박막을 형성하는 단계는 상기 단일 타겟을 이용한 스퍼터링 공정인 광흡수층 제조방법
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 셀렌화 공정은 상기 금속 전구체 박막의 상면과 셀레늄 증발원의 상면 간의 간격이 0
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 셀렌화 공정은 10Pa 내지 100Pa의 셀레늄 증기압력에서 수행되는 광흡수층 제조방법
|
| 8 |
8
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에, 금속 화합물로 형성되는 단일 타겟을 이용하여 단층의 금속 전구체 박막을 형성하는 단계;상기 금속 전구체 박막에 셀렌화 공정을 수행하여 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계; 및상기 윈도우층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 금속 전구체 박막은 상기 단일 타겟과 동일한 조성을 가지는 금속 화합물로 형성되는 태양전지 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 8에 있어서,상기 셀렌화 공정은 상기 금속 전구체 박막의 상면과 셀레늄 증발원 상면 간의 간격이 0
|
| 11 |
11
청구항 8에 있어서,상기 셀렌화 공정은 10Pa 내지 100Pa의 셀레늄 증기압력에서 수행되는 태양전지 제조방법
|
| 12 |
12
청구항 8에 있어서,상기 윈도우층과 상기 제2 전극 사이에 반사방지층을 형성하는 것을 더 포함하는 태양전지 제조방법
|
