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하기 화학식 1로 표현되는 화합물 및 가교제를 포함하되, 상기 화학식 1에서, R1은 수소 원자, 히드록시기, 에스테르기, 아마이드기, 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 알콕시기 중 어느 하나이고, a와 b는 양의 정수이고 a에 대한 b의 비율(b/a)은 0보다 크고 99보다 작고, 상기 화학식 1의 R2는 스틸렌-4-설폰산(styrene-4-sulfonic acid), 4-스틸렌-설폰산나트륨(sodium 4-styrene-sulfonate), 인산(phosphonic acid), 및 1-4[4-(3-카복시-4-하이드록시페닐아조)벤젠-설폰아미도]-1,2-에탄디일(1-4[4-(3-carboxy-4-hydroxyphenylazo)bezene-sulfonamido]-1,2-ethandiyl] 중에서 선택되는 유기 절연막 형성용 조성물
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청구항 1에 있어서, 상기 가교제는 2 이상의 말레이미드기를 포함하는 화합물에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기 절연막 형성용 조성물
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청구항 3에 있어서, 상기 가교제는 하기의 화학식 2 내지 5에서 선택된 적어도 하나를 포함하며, 하기 화학식 2 내지 5에서 c, d, e, f 및 g 는 2 내지 10 사이의 정수에서 각각 선택되는 유기 절연막 형성용 조성물
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청구항 1에 있어서, 상기 가교제의 양은 상기 화합물의 100 중량부에 대해 10 내지 100 중량부인 유기 절연막 형성용 조성물
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청구항 1에 있어서, 유기 용매를 더 포함하는 유기 절연막 형성용 조성물
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청구항 1에 있어서, 중합 개시제를 더 포함하는 유기 절연막 형성용 조성물
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하기 화학식 1을 갖는 중합체들의 가교 결합에 의해 형성된 공중합체를 포함하는 유기 절연막을 포함하되, 상기 화학식 1에서, R1은 수소 원자, 히드록시기, 에스테르기, 아마이드기, 또는 탄소수 1 내지 12의 알킬기 또는 알콕시기 중 어느 하나이고, a와 b는 양의 정수이고 a에 대한 b의 비율(b/a)은 0보다 크고 99보다 작고,상기 화학식 1의 R2는 스틸렌-4-설폰산(styrene-4-sulfonic acid), 4-스틸렌-설폰산나트륨(sodium 4-styrene-sulfonate), 인산(phosphonic acid), 및 1-4[4-(3-카복시-4-하이드록시페닐아조)벤젠-설폰아미도]-1,2-에탄디일(1-4[4-(3-carboxy-4-hydroxyphenylazo)bezene-sulfonamido]-1,2-ethandiyl] 중에서 선택되는 유기 박막 트랜지스터
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청구항 8에 있어서, 상기 화합물들은 2 이상의 말레이미드기들을 포함하는 가교제에 의해 가교 결합되는 유기 박막 트랜지스터
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11
청구항 10에 있어서, 상기 가교제는 하기의 화학식 2 내지 5에서 선택된 적어도 하나를 포함하며, 하기 화학식 2 내지 5에서 c, d, e, f 및 g 는 2 내지 10 사이의 정수에서 각각 선택되는 유기 박막 트랜지스터
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청구항 10에 있어서, 상기 가교 결합은 상기 화학식 1의 안트라세닐기와 상기 가교제의 말레이미드기 사이에 위치하는 유기 박막 트랜지스터
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13
청구항 8에 있어서, 기판, 상기 기판 상의 소오스 전극과 드레인 전극, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 상기 기판 상의 활성층을 더 포함하되, 상기 유기 절연막은 상기 소오스 전극 및 드레인 전극과 상기 활성층 사이에 배치되는 유기 박막 트랜지스터
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14
청구항 13에 있어서, 상기 활성층을 제어하는 게이트 전극을 더 포함하되, 상기 유기 절연막은 상기 활성층과 게이트 전극 사이에 배치되는 유기 박막 트랜지스터
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