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밀리미터파 대역 제어회로용 고격리도 스위치 소자

  • 기술번호 : KST2015094482
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 밀리미터파 대역 제어회로용 고격리도 스위치 소자에 관한 것으로, 온-상태의 삽입 손실이 악화되지 않으면서도 오프-상태의 격리도가 향상되도록 셀 구조를 최적화함으로써, 스위칭 특성을 이용하는 위상 변위기나 디지털 감쇄기 등 밀리미터파 대역의 제어회로 설계 및 제작에 유용한 고격리도 스위치 소자를 구현할 수 있다. 또한, 본 발명의 스위치 소자를 이용하여 스위치 MMIC를 설계할 경우, 격리도 향상을 위해 다단계 션트 전계효과 트랜지스터를 사용하지 않아도 되고, 이를 위한 별도의 λ/4 트랜스포머 전송선로, 인덕터 또는 캐패시터를 스위치 소자 부근에 사용하지 않아도 되므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있으며, 이에 따라 스위치 회로 제조 공정의 수율과 직접도의 향상을 통해 제조 비용을 절감할 수 있다.스위치 셀(switch cell), 삽입 손실(Insertion loss), 격리도(Isolation), 접지 비아홀(ground via hole) 스위치, 저손실 스위치, 고격리도 스위치
Int. CL H01L 21/8252 (2006.01) H01L 29/768 (2006.01)
CPC H04B 1/44(2013.01)
출원번호/일자 1020070058778 (2007.06.15)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0846452-0000 (2008.07.09)
공개번호/일자 10-2008-0052243 (2008.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20080716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060122507   |   2006.12.05
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.15)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문재경 대한민국 대전 유성구
2 김해천 대한민국 대전 유성구
3 김동영 대한민국 대전 유성구
4 임종원 대한민국 대전 유성구
5 안호균 대한민국 대전 유성구
6 유현규 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0434144-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006138-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0151453-92
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0344504-57
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0344520-88
7 등록결정서
Decision to grant
2008.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0362858-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입출력 전송선로에 하나 이상의 트랜지스터가 전기적으로 연결되어 이루어진 단위셀을 포함하며,상기 입출력 전송선로의 상하부에 대칭적으로 다수의 접지 비아홀이 형성되되, 상기 각 트랜지스터의 소오스 전극 또는 드레인 전극이 상기 각 접지 비아홀에 연결되어 접지되며, 상기 각 트랜지스터의 게이트 전극에 인가된 게이트 전압에 따라 상기 입출력 전송선로로 입력된 밀리미터파 신호가 상기 각 접지 비아홀로 전달되어 상기 각 접지 비아홀에 의해 상기 밀리미터파 신호의 누설이 다단계적으로 차단되는 것을 특징으로 하는 밀리미터파 대역 제어회로용 고격리도 스위치 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 접지 비아홀의 수가 증가할수록 상기 트랜지스터의 온-상태 임피던스가 감소되어 온-상태의 삽입 손실이 감소되고 오프-상태의 격리도가 증가되는 것을 특징으로 하는 밀리미터파 대역 제어회로용 고격리도 스위치 소자
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 트랜지스터는 화합물 반도체 트랜지스터 또는 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 밀리미터파 대역 제어회로용 고격리도 스위치 소자
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 단위셀에 제 1 내지 제 4 접지 비아홀이 형성된 경우,상기 밀리미터파 신호가 상기 제 1, 3 접지 비아홀로 전달되어 1차적으로 누설이 차단되고,상기 제 1, 3 접지 비아홀에서 누설된 밀리미터파 신호가 상기 제 3, 4 접지 비아홀로 전달되어 2차적으로 누설이 차단되며,상기 제 3, 4 접지 비아홀에서 누설된 밀리미터파 신호가 상기 제 2, 4 접지 비아홀로 전달되어 3차적으로 누설이 차단되는 것을 특징으로 하는 밀리미터파 대역 제어회로용 고격리도 스위치 소자
7 7
제 1항에 있어서, 상기 단위셀은,상기 트랜지스터의 게이트 전극을 연결하기 위한 게이트 연결 금속과,상기 트랜지스터의 드레인 전극을 상기 입출력 전송선로에 연결하기 위한 드레인 전극용 에어브릿지 금속과,상기 트랜지스터의 소오스 전극을 상기 입출력 전송선로에 연결하기 위한 소오스 전극용 에어브릿지 금속과,상기 트랜지스터의 게이트 전극의 앞단에 배치된 메사 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 밀리미터파 대역 제어회로용 고격리도 스위치 소자
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1 JP04870644 JP 일본 FAMILY
2 JP20147627 JP 일본 FAMILY
3 US07671697 US 미국 FAMILY
4 US20080129427 US 미국 FAMILY

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1 JP2008147627 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4870644 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2008129427 US 미국 DOCDBFAMILY
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