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1
외부로부터 입사되는 하향 광신호가 이득을 가지도록 동작하는 광신호 증폭 영역; 및
상기 광신호 증폭 영역과 연결되고 변조된 광신호를 발생하는 광신호 변조 영역을 포함하고, 상기 하향 광신호는 상기 변조된 광신호에 의한 교차이득 변조를 통해 증폭되어 상향 광신호로서 출력되는 반사형 반도체 광증폭기
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2
청구항 1에 있어서,
상기 광신호 증폭 영역은 반도체 증폭기를 포함하고, 상기 광신호 변조 영역은 레이저 다이오드를 포함하고,
상기 광신호 증폭 영역 및 상기 광신호 변조 영역은 각각 제 1 전극 및 제 2 전극을 갖고, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극은 독립적인 전류의 주입이 가능하도록 구성된 반도체 광증폭기
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3
청구항 2에 있어서,
상기 광신호 증폭 영역의 상기 제 1 전극에는 직류 전류가 인가되고, 상기 광신호 변조 영역의 상기 제 2 전극에는 저주파(RF) 전류가 인가되는 반사형 반도체 광증폭기
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4
청구항 3에 있어서,
상기 광신호 변조 영역은 상기 저주파 전류에 의하여 변조된 광신호를 발생하고, 상기 광신호 증폭 영역은 상기 변조된 광신호에 의하여 상기 하향 광신호를 교차이득 변조하여 상향 광신호로서 출력하는 반사형 반도체 광증폭기
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5
청구항 4에 있어서,
상기 레이저 신호의 파장 대역은 상기 반도체 증폭기의 이득 대역에 포함되고, 상기 하향 광신호의 파장 대역과는 다른 반사형 반도체 광증폭기
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6
청구항 1에 있어서,
상기 광신호 변조 영역은 회절 격자를 구비하는 반사형 반도체 광증폭기
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7
청구항 6에 있어서,
상기 광신호 변조 영역은 단일 파장의 빛을 발진하는 반사형 반도체 광증폭기
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8
청구항 1에 있어서,
상기 광신호 증폭 영역에 인접하여 제공되는 무반사막; 및
상기 광신호 변조 영역에 인접하여 제공되는 반사막을 더 포함하고, 상기 광신호 증폭 영역 및 상기 광신호 변조 영역은 상기 무반사막 및 상기 반사막의 사이에 제공되는 반사형 반도체 광증폭기
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9
청구항 8에 있어서,
상기 무반사막은 상기 하향 광신호가 입사되고, 상기 상향 광신호를 출력하는 경로인 반사형 반도체 광증폭기
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10
청구항 9에 있어서,
상기 광신호 증폭 영역과 상기 무반사막 사이에 제공되는 광모드 변환기를 더 포함하고, 상기 무반사막은 하나의 광섬유에 광학적으로 연결되는 반사형 반도체 광증폭기
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11
광의 입출력 통로로 기능하는 무반사막;
상기 무반사막에서 이격되고, 상기 광을 반사하는 반사막; 및
상기 무반사막과 상기 반사막 사이에 공진 구조를 갖는 광증폭 변조 영역을 포함하는 반사형 반도체 광증폭기
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12
청구항 11에 있어서,
상기 광증폭 변조 영역의 상기 공진 구조는 단일 파장의 공진 주파수를 발생하는 반사형 반도체 광증폭기
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13
청구항 11에 있어서,
상기 광증폭 변조 영역은 광이 이득을 가지도록 동작하는 반도체 증폭기와 변조된 신호를 발생하는 레이저 다이오드를 포함하고, 이들은 직렬로 연결되도록 배치되는 반사형 반도체 광증폭기
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14
청구항 13에 있어서,
상기 레이저 다이오드의 발진 파장의 대역은 상기 반도체 증폭기의 이득 대역에 포함되고, 상기 광의 파장 대역과는 다른 반사형 반도체 광증폭기
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15
중앙기지국 및 가입자단을 포함하는 파장분할 다중방식 수동형 광가입자망의 광신호 처리방법에 있어서,
상기 중앙기지국으로부터의 하향 광신호를 받아들이고;
변조된 광신호를 발생시키고; 그리고
상기 하향 광신호를 상기 변조된 광신호에 의한 교차이득 변조를 통해 증폭하여 상향 광신호로 출력하되,
상기 변조된 광신호의 파장 대역은 상기 가입자망에서 사용하지 않는 다른 파장 대역인 광신호 처리방법
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16
청구항 15에 있어서,
상기 변조된 광신호의 파장 대역은 상기 증폭의 이득 대역에 포함되나, 상기 하향 광신호와는 다른 파장 대역을 갖는 광신호 처리방법
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17
삭제
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18
청구항 15에 있어서,
상기 상향 광신호는 하나의 광섬유를 통하여 상기 중앙기지국으로 전달되는 광신호 처리방법
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