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SLD(Super Luminescent Diode) 영역과, 상기 SLD 영역으로부터 생성된 광을 증폭하기 위한 SOA(Semiconductor Optical Amplifier) 영역을 가지는 기판;
상기 기판 상에서 상기 SLD 영역 및 상기 SOA 영역에 걸쳐 연장되며 상기 SOA 영역에서 테이퍼(taper) 형태를 갖는 활성층을 포함하는 매립형 이종접합구조(Buried Heterostructure) 구조의 광 도파로;
상기 활성층 주위에 형성되어 상기 활성층 이외로의 전류 흐름을 차단하며, 서로 다른 도전형의 반도체 층이 적층된 전류 차단층; 및
상기 광 도파로 및 상기 전류 차단층 상에 형성된 클래드 층
을 포함하는 광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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제 1항에 있어서,
상기 기판과 상기 광 도파로 사이에 형성된 수동 도파로 층
을 더 포함하는 광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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3
제 1항에 있어서,
상기 SLD 영역의 활성층과 상기 SOA 영역의 활성층이 이종의 활성층으로 이루어진
광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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4
제 1항에 있어서,
상기 광 도파로는 상기 SOA 영역의 폭이 좁게 형성되는 리지(ridge) 구조로 형성된
광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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제 4항에 있어서,
상기 SOA 영역의 폭은 방사 광 모드의 크기를 고려하여 계산된
광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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제 1항에 있어서,
상기 전류 차단층은, 제 1 도전형의 반도체층과 제 2 도전형의 반도체층의 적층 구조로 이루어진
광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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제 1항에 있어서,
상기 SLD 영역의 활성층은 응력 완화 다중 양자 우물 구조로 이루어진
광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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8
제 1항에 있어서,
상기 SOA 영역의 활성층은 응력 완화 벌크 구조로 이루어진
광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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9
제 1항에 있어서,
상기 클래드 층 상에 형성된 오믹(omic)층
을 더 포함하는 광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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제 1항에 있어서,
상기 SLD 영역의 입사 단면이 고반사 코팅된
광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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제 1항에 있어서,
상기 SOA 영역의 출사 단면이 무반사 코팅된
광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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12
제 4항에 있어서,
상기 SOA 영역의 리지(ridge) 도파로 폭은 7~10um인
광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드
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13
제 1항에 의한 광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드가 평판형 광 회로(Planar Lightwave Circuit : PLC) 플랫폼에 티오캔(TO can)으로 실장된
외부 공진 레이저
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14
제 1항에 의한 광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드가 평판형 광 회로(Planar Lightwave Circuit : PLC) 플랫폼에 플립 칩 방식으로 실장된
외부 공진 레이저
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15
제 13 항 또는 제 14항에 있어서,
상기 평판형 광 회로는 상기 평판형 광 회로의 광 도파로 상에 형성된 브래그 격자(bragg grating) 및 상기 브래그 격자의 온도 제어를 위한 히터 전극을 포함하는
외부 공진 레이저
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