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CNT 에미터가 패터닝된 음극부와,
상기 음극부의 상부에 배치되어 전자방출을 유도하며 전자빔을 집속시키는 게이트부와,
상기 게이트부의 상부에 배치되는 덮개를 포함하는 전자방출부; 및
상기 전자방출부의 상부에 배치되어 상기 음극부로부터 방출된 전자를 가속시켜 전자의 충돌로 X 선을 발생시키는 양극부를 구비하되,
상기 전자방출부는 상기 음극부에서부터 상기 덮개까지 본딩 물질에 의해 고정되며,
상기 게이트부에는 상기 CNT 에미터와 동일한 피치를 갖는 다수의 게이트홀이 매크로한 구조로 형성되어 있으며, 상기 게이트홀의 크기는 상기 CNT 에미터의 크기 보다 큰 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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제 1항에 있어서,
상기 CNT 에미터는 스크린 프린팅 및 노광과 현상을 통해 상기 음극부 상에 패터닝된 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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제 1항에 있어서,
상기 덮개는 상기 CNT 에미터의 전계방출 영역보다 더 큰 홀을 갖는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 다수의 게이트홀은 상기 게이트부의 크기 내에서 최소한의 피치를 갖는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 게이트홀은,
상기 CNT 에미터로부터 방출된 전자빔이 상기 양극부에 집속되도록 경사진 형태의 경사 개구 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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제 1항에 있어서, 상기 본딩 물질은 프릿 글라스인 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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제 1항에 있어서,
상기 게이트부 및 덮개는 상기 본딩 물질과 유사한 열팽창계수를 갖는 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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10
제 1항에 있어서,
상기 음극부와 상기 게이트부 사이에 스페이서가 구비된 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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제 1항에 있어서,
상기 양극부로의 전자빔 집속을 향상시키기 위해 상기 덮개의 상단 또는 내부에 전도성 금속으로 보조 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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제 11항에 있어서,
상기 덮개의 상단에 형성된 보조 전극의 폭은 상기 덮개의 상단 폭 이하이며,
상기 덮개의 내부에 형성된 보조 전극의 두께는 상기 덮개 두께의 1/2 이하 혹은 절연성이 확보되는 최대한의 두께인 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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제 1항에 있어서,
상기 전자방출부는 전류 스위칭을 위한 트랜지스터를 더 포함하며,
상기 트랜지스터의 소스에는 상기 음극부가 연결되고, 게이트에는 펄스 전압이 인가되며, 드레인에는 접지가 연결된 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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제 13항에 있어서,
상기 CNT 에미터로부터 방출되는 전자량은 상기 트랜지스터의 게이트에 인가되는 펄스 전압에 따라 변화되는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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제 1항에 있어서,
상기 전자방출부는 진공 튜브 내에 장착되는 것을 특징으로 하는 CNT를 이용한 삼극형 구조의 초소형 X 선관
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