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제1 전극을 가지는 기판을 제공하는 것; 상기 기판 상에 상기 제1 전극을 덮도록 레지스트층을 형성하는 것; 상기 레지스트층을 패터닝하여 상기 제1 전극의 일부를 노출시키는 것;상기 기판 상에 절연층을 형성하는 것; 상기 레지스트층 및 상기 레지스트 상의 상기 절연층을 제거하여, 상기 절연층 내에 우물을 형성하는 것; 그리고상기 우물 내에 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 형성하는 것을 포함하는 전극 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 레지스트층을 형성하는 것은상기 기판 상의 리프트오프 레지스트층; 및 상기 리프트오프 레지스트층 상의 포토레지스트층을 형성하는 것 포함하는 전극 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 것은 상기 노출된 제1 전극 및 상기 레지스트층 상에 절연층을 형성하는 것을 포함하는 전극 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 절연층을 제거하는 것은 현상액 또는 리프트오프 레지스트 제거제에 의하여 수행되는 전극 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 절연층을 형성하는 것은, 상기 레지스트층을 따라 연장된 돌출부를 형성하는 것을 더 포함하는 전극 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 우물을 형성하는 것은 환형의 평면을 가지도록 상기 절연층을 패터닝하는 것을 포함하고, 상기 제2 전극을 형성하는 것은 환형의 평면을 가지도록 상기 우물 내에 나노입자들을 채우는 것을 포함하는 전극 센서 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 우물을 형성하는 것은 원형의 평면을 가지도록 상기 절연층을 패터닝하는 것을 포함하고, 상기 제2 전극을 형성하는 것은 원형의 평면을 가지도록 상기 우물 내에 나노입자들을 채우는 것을 포함하는 전극 센서 제조방법
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기판;상기 기판 상의 박막 형태를 가지는 제1 전극; 상기 제1 전극 상의 우물을 가지는 절연층; 그리고상기 우물 내에 제공되며, 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하되, 상기 제2 전극은 환형의 평면을 가지는 전극 센서
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제 8항에 있어서, 상기 제2 전극은 금 나노입자들 또는 백금 나노입자들을 포함하는 전극 센서
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제 8항에 있어서, 상기 절연층은 상기 우물을 따라 연장되는 돌출부를 가지는 전극 센서
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제 8항에 있어서, 상기 우물의 측면은 언더컷 구조를 가지는 전극 센서
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제 8항에 있어서, 상기 제1 전극은 금, 백금, 이리듐, 산화인듐주석 및 전도성 폴리머 중에서 적어도 하나를 포함하고, 상기 기판 및 상기 절연층은 투명한 전극 센서
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기판 상에 배치된 금속 박막; 상기 기판 상에 상기 금속박막을 덮는 절연층; 상기 절연층 내에 제공되어, 상기 금속박막의 일부를 노출시키는 우물; 그리고상기 우물 내에 적층되고, 상기 금속 박막과 전기적으로 연결된 나노입자들을 포함하되; 상기 절연층은 상기 우물을 따라 연장된 돌출부를 가지며, 상기 우물은 언더컷 구조를 가지는 전극 센서
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제 13항에 있어서,상기 절연막의 두께는 상기 우물의 깊이보다 더 큰 전극 센서
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제 13항에 있어서, 상기 우물 바닥의 지름은 상기 우물 중앙의 지름보다 더 큰 전극 센서
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제 13항에 있어서, 상기 우물은 원형 또는 환형의 평면을 가지는 전극 센서
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