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실리콘 기판 상부에 형성되고 실리콘 나노점(silicon nano-dot)을 포함하는 발광층;상기 발광층을 사이에 두고 서로 대향하여 형성된 정공 주입층 및 전자 주입층;상기 전자 주입층 상에 형성된 투명 전도성 전극층; 및상기 정공 주입층 및 상기 투명 전도성 전극층에 각각 외부로부터 전류를 주입하기 위한 제1 전극 및 제2 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 크기의 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 발광층은 비정질 실리콘 나이트라이드(SiN)막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 크기의 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 정공 주입층 및 전자 주입층은 각각 p형 실리콘 카바이드계 물질막 및 n형의 실리콘 카바이드계 물질막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 크기의 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 투명 전도성 전극층은 ITO(Indium tin oxide), SnO2, In2O3, Cd2SnO4 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 크기의 반도체 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 정공 주입층은 상기 실리콘 기판 상부에 형성되고, 상기 발광층은 상기 정공 주입층 상에 형성되고, 상기 전자주입층은 상기 발광층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 크기의 반도체 발광 소자
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가로 방향 및 세로 방향으로 복수개 배열된 단위 반도체 발광 소자들을 포함하는 반도체 발광 소자 어레이에 있어서, 상기 단위 반도체 발광 소자는 실리콘 기판 상부에 형성되고 실리콘 나노점(silicon nano-dot)을 포함하는 발광층과, 상기 발광층을 사이에 두고 서로 대향하여 형성된 정공 주입층 및 전자 주입층과, 상기 전자 주입층 상에 형성된 투명 전도성 전극층과, 상기 정공 주입층 및 상기 투명 전도성 전극층에 각각 외부로부터 전류를 주입하기 위한 제1 전극 및 제2 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 단위 반도체 발광 소자는 상기 제1 전극 및 제2 전극을 이용하여 발광 여부를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 어레이
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제6항에 있어서, 상기 발광층은 비정질 실리콘 나이트라이드(SiN)막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 어레이
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제6항에 있어서, 상기 단위 반도체 발광 소자의 가로 및 세로의 크기는 100㎛ 이하로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자 어레이
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실리콘 기판 상부에 실리콘 나노점(silicon nano-dot)을 포함하는 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층을 사이에 두고 서로 대향하여 정공 주입층 및 전자 주입층을 형성하는 단계;상기 전자 주입층 상에 투명 전도성 전극층을 형성하는 단계; 및상기 정공 주입층 및 상기 투명 전극층에 각각 외부로부터 전류를 주입하기 위한 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 크기의 반도체 발광 소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 발광층은 비정질 실리콘 나이트라이드(SiN)막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 크기의 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 정공 주입층은 상기 실리콘 기판 상에 p형 실리콘 카바이드계 물질막을 형성하여 얻어지고, 상기 전자 주입층은 상기 발광층 상에 n형 실리콘 카바이드계 물질막을 형성하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 크기의 반도체 발광 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 투명 전도성 전극층을 형성하는 단계 후에, 투명 전도성 전극층을 상온 내지 1000℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 크기의 반도체 발광 소자의 제조방법
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