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정전압의 척킹 전압에 의해 정전척 상에 유지된 기판에 대한 플라즈마 처리 완료후, 플라즈마 발생을 중단시키고, 상기 정전척에 제1 역전압을 인가하는 단계;
상기 정전척에의 상기 제1 역전압 인가를 중단시키는 중간 턴오프 단계;
상기 중간 턴오프 단계 후, 상기 정전척에 상기 제1 역전압보다 작은 크기의 제2 역전압을 인가하는 단계; 및
상기 정전척에의 상기 제2 역전압 인가를 중단시키고 상기 기판을 접지시키는 접지 단계;를 포함하는 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
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제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 역전압은, 상기 정전척 내부에 삽입된 리프트 핀에 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
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제1항에 있어서,
상기 접지 단계에서, 상기 기판은, 접지단에 접지된 상태에서 상기 기판에 접촉하는 리프트 핀을 통해 접지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
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제1항에 있어서,
상기 기판에 접촉하는 리프트 핀은 상기 기판과 접촉되는 접점부위를 Cu, Ag, Pt 또는 Al으로 형성하여 상기 기판과 접촉되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
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5
제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 역전압은, 상기 정전척 내부에 삽입된 하나 이상의 제1 리프트 핀에 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
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6
제5항에 있어서,
상기 접지 단계에서, 상기 기판은, 접지단에 접지된 상태에서 상기 기판과 접촉하고 상기 제1 리프트 핀과 다른 접지 전용의 제2 리프트 핀을 통해 상기 기판이 접지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
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7
제6항에 있어서,
상기 접지 단계에서, 상기 기판은, 상기 제2 리프트 핀 및 제1 리프트 핀을 통해서 접지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
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8
제7항에 있어서,
상기 접지 단계에서, 상기 제1 및 제2 리프트 핀은 서로 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치에서의 기판 디척킹 방법
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