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단일 기판 집적 회로 장치 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015094734
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	단일 기판 집적 회로 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 방법은 기판 상의 HBT 영역 및 PIN 다이오드 영역 상에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 이미터층 및 이미터캡층을 형성하고, 이미터층 및 상기 이미터캡층을 패터닝하여 HBT(Heterojuction Bipolar Transistor)영역에 이미터 패턴 및 이미터캡 패턴을 형성하고 베이스층을 노출시키고, HBT 영역으로부터 이격된 PIN 다이오드 영역의 컬렉터층의 일부에 제 1형 불순물을 도핑하여 진성 영역을 형성한다.MMIC, HBT, PIN, 진성 영역, 컬렉터, 리프트 오프
Int. CL	H01L 29/737 (2006.01) H01L 29/86 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020090123338 (2009.12.11)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-1252745-0000 (2013.04.03)
공개번호/일자	10-2011-0066607 (2011.06.17) 문서열기
공고번호/일자	(20130412) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.12.11)
심사청구항수	16

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	민병규	대한민국	대전광역시 유성구
2	이종민	대한민국	대전광역시 서구
3	김성일	대한민국	대전광역시 유성구
4	윤형섭	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	오세준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)(특허법인 고려)
2	권혁수	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3	송윤호	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.12.11	수리 (Accepted)	1-1-2009-0767276-20
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.12.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.01.10	수리 (Accepted)	9-1-2013-0001386-71
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.01.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0039886-15
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.03.04	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0188464-65
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0188465-11
7	등록결정서 Decision to grant	2013.03.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0206282-11
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판의 HBT 영역 및 PIN 다이오드 영역 상에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 이미터층 및 이미터캡층을 형성하는 것;상기 이미터층 및 상기 이미터캡층을 패터닝하여 HBT(Heterojuction Bipolar Transistor)영역에 이미터 패턴 및 이미터캡 패턴을 형성하고 상기 베이스층을 노출시키는 것; 및상기 HBT 영역으로부터 이격된 PIN 다이오드 영역의 컬렉터층의 일부에 제 1형 불순물을 도핑하여 진성 영역을 형성하는 것을 포함하는 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 컬렉터층은 제 2 형 화합물 반도체인 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 PIN 다이오드 영역에 제 1 형 불순물을 도핑하는 것은:상기 노출된 베이스층 상에 마스크 패턴을 형성하는 것;상기 마스크 패턴을 마스크로 상기 컬렉터층에 제 1 형 불순물을 주입하는 것; 및상기 마스크 패턴을 제거하는 것을 포함하는 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
4	4 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 형 불순물의 최대 이온 주입 영역은 상기 컬렉터층 내에 있는 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
5	5 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 형 불순물의 이온 주입의 농도는 상기 컬렉터층의 상기 제 2 형 불순물 농도와 동일한 레벨인 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
6	6 제 2 항에 있어서, 상기 베이스층 및 상기 컬렉터층을 패터닝하여 상기 HBT 영역에 베이스 패턴 및 컬렉터 패턴을 형성하고 상기 PIN 다이오드 영역에 제 1 형 패턴 및 진성 패턴을 형성하는 것; 및상기 부컬렉터층을 패터닝하여 상기 HBT 영역에 부컬렉터 패턴을 형성하고 상기 PIN 다이오드 영역에 제 2 형 패턴을 형성하는 것을 더 포함하는 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
7	7 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 형은 P형이고 상기 제 2 형은 N형인 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
8	8 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 형 불순물은 Be 또는 C인 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
9	9 제 3 항에 있어서, 상기 부컬렉터층의 일부에 제 1 형 불순물을 주입하는 것을 더 포함하는 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
10	10 제 9 항에 있어서, 상기 부컬렉터층에 주입되는 상기 제 1 형 불순물의 농도는 상기 부컬렉터층의 제 2 형 불순물 농도와 동일 레벨인 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
11	11 제 6 항에 있어서, 상기 PIN 다이오드 영역의 상기 제 2 형 패턴은 상기 제 1 형 패턴 및 상기 진성 패턴의 폭 보다 넓게 형성되는 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
12	12 제 6 항에 있어서, 상기 HBT 및 상기 PIN 다이오드의 전극들을 형성하는 것을 더 포함하는 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
13	13 제 12 항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 것은 상기 베이스층 상에 베이스 전극 및 상기 제 1 형 패턴의 전극을 동시에 형성하는 것을 포함하는 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
14	14 제 12 항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 것은 상기 부컬렉터층 상에 컬렉터 전극 및 제 2 형 패턴의 전극을 동시에 형성하는 것을 포함하는 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
15	15 제 12 항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 것은 이미터 전극, 베이스 전극, 컬렉터 전극, 제 1 형 패턴의 전극 및 제 2 형 패턴의 전극을 동시에 형성하는 것을 포함하는 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
16	16 제 12 항에 있어서, 상기 전극을 형성하는 것은 리프트 오프(lift off) 공정에 의하여 수행되는 단일 기판 집적 회로 장치의 제조 방법
17	17 삭제
18	18 삭제
19	19 삭제
20	20 삭제

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US08124489	US	미국	FAMILY
2	US20110140175	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1	US2011140175	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US8124489	US	미국	DOCDBFAMILY

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특허 등록번호	10-1252745-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20091211 출원 번호 : 1020090123338 공고 연월일 : 20130412 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130327 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 29/86 발명의 명칭 : 단일 기판 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20160404

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	334,500 원	2013년 04월 04일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.12.11	수리 (Accepted)	1-1-2009-0767276-20
2	선행기술조사의뢰서	2012.12.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2013.01.10	수리 (Accepted)	9-1-2013-0001386-71
4	의견제출통지서	2013.01.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0039886-15
5	[명세서등 보정]보정서	2013.03.04	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0188464-65
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.03.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-0188465-11
7	등록결정서	2013.03.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0206282-11
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1415105064
세부과제번호	10033241
연구과제명	무선통신/xAN을위한개방형PowerAmplifier플랫폼기술
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2009
연구기간	200905~201404
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020090124720]	인덕터	새창보기
[1020090123338]	단일 기판 집적 회로 장치 및 그 제조 방법	새창보기
[1020090121660]	단일 기판 집적 회로 장치 및 그 제조 방법	새창보기

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