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소신호 선형성 향상을 위한 알에프용 차동증폭단 회로

  • 기술번호 : KST2015094789
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CDMA 방식 전력증폭기회로에서의 선형성을 높이기 위한 회로에 관한 것으로서, 특히 소신호 선형성 향상을 위한 RF용 차동증폭 회로에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 회로는, 외부로부터의 직류 게이트 전압(VGG1)으로 입력신호를 정상 동작점에서 차동 증폭시켜 출력하는 신호 증폭용 차동증폭부(10), 차동증폭부 (10)의 출력단에 병렬로 연결되고, 그 차동 증폭부(10)의 3차 비선형성에 의해 생성 된 3차 왜곡신호를 상쇄시키기 위해 그 차동 증폭부(10)의 동작전압 이하에서 동작 점이 조절되도록 외부로부터의 직류 게이트 전압(VGG2)으로 입력신호를 비선형 차동증폭하여 3차 왜곡신호로서 생성하는 3차 왜곡신호 발생용 차동증폭부(20), 신호 증폭용 차동증폭부(10)와 3차 왜곡신호 발생용 차동증폭부(20)에 인가 되는 각 직류 게이트 전압을 다르게 인가하여서 직류 전원과의 절연을 하기 위해 절연부 (30)로 구성된다. 상기에서 각 차동증폭부에는 FET(M1,M2,M3,M4)가 사용된다. 본 발명은 FET에서 드레인 전류에 대한 게이트 전압의 3차 미분값 (g3)의 크기가 작을수록 3차 왜곡신호의 선형성이 향상되며 전류 소모가 작을 때(신호의 선형 이득이 작을 때) g3의 크기가 크게되고 전류 소모가 많을 때(신호의 선형 이득이 클 때) g3의 크기가 작게되는 FET의 특성을 이용하여 3차 왜곡신호의 선형성(IP3 : third-order intermodulation)을 향상시키도록 하는 회로를 제공한다.
Int. CL H03F 1/32 (2006.01)
CPC H03F 1/3211(2013.01) H03F 1/3211(2013.01) H03F 1/3211(2013.01)
출원번호/일자 1019990029627 (1999.07.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0394275-0000 (2003.07.29)
공개번호/일자 10-2001-0010638 (2001.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20030809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.29)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김충환 대한민국 대전광역시 유성구
2 김천수 대한민국 대전광역시 유성구
3 유현규 대한민국 대전광역시 유성구
4 박민 대한민국 대전광역시 유성구
5 김대용 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권태복 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 청원빌딩)(아리특허법률사무소)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 정용철 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **-*, *층 (서초동, 썬라이즈빌딩)(미로&유스특허법률사무소)
4 이수찬 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 엠텍비젼 주식회사 경기도 성남시 수정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.07.21 수리 (Accepted) 1-1-1999-0083173-13
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2000.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-0181829-69
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.03.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0154949-22
6 의견서
Written Opinion		 2002.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0168215-65
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.10.07 수리 (Accepted) 9-1-2002-0021245-20
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2002.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0466704-38
10 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2003.03.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2003-0001490-18
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0133947-39
12 의견서
Written Opinion		 2003.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2003-0196990-56
13 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.06.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0196988-64
14 복대리인 선임 신고서
Report on Appointment of Sub-agent		 2003.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2003-0196989-10
15 등록결정서
Decision to grant		 2003.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0257820-14
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소신호 선형성을 향상시키기 위한 RF용 차동증폭회로에 있어서,

입력신호가 들어오는 입력단;

증폭된 신호가 출력되는 출력단(Out+, Out-);

제1 및 제2 FET를 구비하고, 상기 제1 및 제2 FET의 소오스는 서로 공유되어 전류싱크에 연결되고, 상기 제1 및 제2 FET의 드레인은 각각 상기 출력단(Out+, Out-)에 연결되며, 제 1 구동전원전압은 상기 제1 및 제2 FET의 각각의 게이트에 인가되고, 상기 입력단으로부터 들어오는 입력신호(In)를 정상 동작점에서 차동 증폭시켜 출력하는 신호 증폭용 차동증폭수단;

제3 및 제4 FET를 구비하고, 상기 제3 및 제4 FET의 소오스는 서로 공유되어 전류싱크에 연결되고, 상기 제3 및 제4 FET의 드레인은 각각 상기 출력단(Out+, Out-)에 병렬로 연결되며, 제 2 구동전원전압은 상기 제3 및 제4 FET의 각각의 게이트에 인가되어 상기 제3 및 제4 FET의 동작전압이 g3가 음(-)인 영역(ΔV3-2)에서 조절되도록 하고, 상기 입력단으로부터 들어오는 상기 입력신호(In)를 차동 증폭하여 3차 왜곡신호로서 생성하여 출력하는 3차 왜곡신호 발생용 차동증폭수단; 및

상기 제 1 구동전원과 상기 제 2 구동전원이 서로 다른 값으로 인가될 수 있도록, 상기 제1 및 제4 FET의 게이트의 연결 사이에 삽입된 제1 직류전류/전압 절연수단과, 상기 제2 및 제 3 FET의 게이트의 연결 사이에 삽입된 제2 직류전류/전압 절연수단을 포함하고,

상기 출력단(Out+, Out-)에서, 상기 3차 왜곡신호 발생용 차동증폭수단의 출력의 위상이 180도 바뀌도록, 상기 상기 제1 FET의 드레인과 상기 제3 FET의 드레인이 접속되고, 상기 제2 FET의 드레인과 상기 제4 FET의 드레인이 접속되어, 이에 의해 상기 신호 증폭용 차동증폭수단에 의해 차동 증폭된 신호의 3차 비선형성분이 상기 3차 왜곡신호 발생용 차동증폭수단에 의해 생성된 3차 왜곡신호와 상기 출력단(Out+, Out-)에서 서로 상쇄될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 RF용 차동증폭회로

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