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잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 직렬 연결된 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 포함하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제1 항에 있어서,상기 잡음 방지회로는 상기 급격한 MIT 소자에 직렬연결된 보호저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제1 항에 있어서,상기 잡음은 상기 전기전자시스템에 전원전압을 인가하는 전원라인을 통해 인가되며,상기 급격한 MIT 소자는 상기 전원라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제1 항에 있어서,상기 잡음은 상기 전기전자시스템에 신호를 인가하는 신호라인을 통해 인가되며,상기 급격한 MIT 소자는 상기 신호라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제1 항에 있어서,상기 잡음은 상기 전기전자시스템에 전원전압을 인가하는 전원라인 및 신호를 인가하는 신호라인을 통해 인가되며,상기 잡음 방지회로는 상기 전원라인 및 신호라인 각각에 연결되는 급격한 MIT 소자를 포함한 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제5 항에 있어서,상기 잡음 방지회로는 상기 각각의 급격한 MIT 소자에 직렬연결된 보호저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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7
제1 항에 있어서,상기 잡음 방지회로는 상기 급격한 MIT 소자에 병렬 연결된 적어도 하나 이상의 급격한 MIT 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제1 항에 있어서,상기 급격한 MIT 소자는 상기 잡음의 전압준위에 대응하여 그 전기적 특성이 급격하게 변하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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9
제1 항에 있어서, 상기 급격한 MIT 소자는, 소정의 한계전압 이하에서는 절연체의 성질을 나타내고, 상기 한계전압 이상에서는 금속의 성질을 나타내는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제9 항에 있어서,상기 전기전자시스템은 상기 한계 전압 이하의 잡음으로부터 보호되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 직렬연결된 제1 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자; 및상기 전기전자시스템에 병렬연결된 제2 급격한 MIT 소자;를 포함하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제11 항에 있어서,상기 잡음 방지회로는 상기 제1 및 제2 급격한 MIT 소자 각각에 직렬연결된 제1 및 제2 보호저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제11 항에 있어서,상기 잡음 방지회로는 상기 전기전자시스템으로 전원전압을 인가하는 전원전압원에 병렬연결된 전원 전압 보강용 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제11 항에 있어서,상기 잡음 방지회로는 상기 제1 급격한 MIT 소자에 병렬연결된 적어도 하나의 급격한 MIT 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제11 항에 있어서,상기 잡음 방지회로는 상기 제2 급격한 MIT 소자에 병렬연결된 적어도 하나의 급격한 MIT 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제11 항에 있어서,상기 제1 및 제2 급격한 MIT 소자는 상기 잡음의 전압준위 각각에 대응하여 그 전기적 특성이 급격하게 변하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제11 항에 있어서, 상기 제1 급격한 MIT 소자는, 제1 한계전압 이하에서는 절연체의 성질을 나타내고, 상기 제1 한계전압 이상에서는 금속의 성질을 나타내며,상기 제2 급격한 MIT 소자는 제2 한계전압 이하에서는 절연체의 성질을 나타내고, 상기 제2 한계전압 이상에서는 금속의 성질을 나타내는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제17 항에 있어서,상기 전기전자시스템은 상기 제1 한계전압 이하의 잡음 및 상기 제2 한계전압 이상의 잡음으로부터 보호되는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제17 항에 있어서,상기 제2 한계전압이 상기 제1 한계전압보다 높은 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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20
잡음으로부터 보호받고자 하는 전기전자시스템에 직렬로 연결되며,저 농도의 정공을 포함하는 급격한 금속-절연체 전이 박막 및 상기 급격한 금속-절연체 전이 박막에 콘택하는 적어도 2 개의 전극박막을 구비한 제1 급격한 MIT(Metal-Insulator Transition) 소자를 포함하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제20 항에 있어서,상기 전기전자시스템에 병렬로 연결되며,저 농도의 정공을 포함하는 급격한 금속-절연체 전이 박막 및 상기 급격한 금속-절연체 전이 박막에 콘택하는 적어도 2 개의 전극박막을 구비한 제2 급격한 MIT 소자를 포함하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제20 항에 있어서, 상기 급격한 금속-절연체 전이 박막은, 산소, 탄소, 반도체 원소(III-V족, II-VI족), 전이금속원소, 희토류원소, 란탄계 원소들을 포함하는 저 농도의 정공이 첨가된 무기물 화합물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 유기물 반도체 및 절연체, 저 농도의 정공이 첨가된 반도체, 및 저 농도의 정공이 첨가된 산화물 반도체 및 절연체 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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제20 항에 있어서, 상기 전극박막은, W, Mo, W/Au, Mo/Au, Cr/Au, Ti/W, Ti/Al/N, Ni/Cr, Al/Au, Pt, Cr/Mo/Au, YBa2Cu3O7-d, Ni/Au, Ni/Mo, Ni/Mo/Au, Ni/Mo/Ag, Ni/Mo/Al, Ni/W, Ni/W/Au, Ni/W/Ag 및 Ni/W/Al 중에서 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 급격한 MIT 소자를 이용한 저전압 잡음 방지회로
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