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절연막 리프트-오프를 활용한 ＨＢＴ ＭＭＩＣ 제작방법

  • 기술번호 : KST2015094824
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 절연막 리프트-오프(lift-off)를 활용한 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : HBT) 마이크로웨이브 단일기판 집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit : MMIC) 제작방법을 제시한다. 본 발명에서는 HBT MMIC의 제작에서 필수적인 비아(via)를 형성하기 위하여 형상반전패턴인 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 양질의 절연막을 저온에서 증착한다. 그런 다음, 포토레지스트 패턴과 절연막을 동시에 리프트-오프하여 비아를 개방한다. 이렇게 함으로써, 고온의 절연막 증착 공정과 절연막 식각 공정으로 비아를 형성하던 종래에 비하여 전류이득 감소를 최소화할 수 있다.
Int. CL H01L 29/737 (2006.01)
CPC H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01)
출원번호/일자 1020030085822 (2003.11.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0518451-0000 (2005.09.24)
공개번호/일자 10-2005-0052651 (2005.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20050930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.11.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경호 대한민국 대전광역시유성구
2 민병규 대한민국 대전광역시유성구
3 김성일 대한민국 대전광역시서구
4 이종민 대한민국 대전광역시유성구
5 주철원 대한민국 대전광역시유성구
6 남은수 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0454994-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0041980-32
4 등록결정서
Decision to grant		 2005.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0421981-84
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
(a)기판 상에 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor : HBT)와 수동소자를 형성하는 단계; (b)상기 기판 상에 배선을 위한 비아를 정의하도록 형상반전패턴인 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; (c)상기 포토레지스트 패턴을 포함하는 상기 기판 전면에 절연막을 저온에서 증착하는 단계; (d)상기 포토레지스트 패턴과 그 상부에 있는 상기 절연막을 리프트-오프(lift-off)로 제거하여 비아를 형성하는 단계; 및 (e)상기 비아에 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 HBT 마이크로웨이브 단일기판 집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit : MMIC) 제작방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (b) 내지 (e) 단계를 더 반복하여 다층 배선구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 HBT MMIC 제작방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 절연막은 100℃ 이하의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 HBT MMIC 제작방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 절연막은 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 징크 옥사이드(ZnO), 티타늄 옥사이드(TiO2), 탄탈륨 옥사이드(Ta2O5), 지르코늄 옥사이드(ZrO2), 하프늄 옥사이드(HfO2), 실리콘 옥사이드(SiO2), 알루미늄 나이트라이드(AlN) 및 알루미늄옥시나이트라이드(AlON) 중의 어느 하나로 증착하는 것을 특징으로 하는 HBT MMIC 제작방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 절연막은 원자층 증착법, 스퍼터링, 포토-CVD, 또는 반응기체를 극도로 희석시켜 저온에서 증착하는 CVD로 증착하는 것을 특징으로 하는 HBT MMIC 제작방법
6 5
제1항에 있어서, 상기 절연막은 원자층 증착법, 스퍼터링, 포토-CVD, 또는 반응기체를 극도로 희석시켜 저온에서 증착하는 CVD로 증착하는 것을 특징으로 하는 HBT MMIC 제작방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.