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기판상에 상기 기판 상면의 제1 영역을 덮는 희생몰드(sacrificial mold) 패턴을 형성하는 단계와, 상기 기판 상면중 상기 희생몰드 패턴으로 덮이지 않는 제2 영역과 상기 희생몰드 패턴의 상면에 각각 금속 박막을 형성하는 단계와, 상기 금속 박막 위에 유기분자층을 형성하는 단계와, 상기 유기분자층 위에 전도성 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 제1 영역에서 상기 희생몰드 패턴을 제거하여 상기 제2 영역에만 남아 있는 금속 박막, 유기분자층 및 전도성 고분자층으로 각각 구성되는 복수의 도전 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생몰드 패턴은 포토레지스트 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제2항에 있어서, 상기 포토레지스트 물질은 PMMA (poly(methyl methacrylate))로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생몰드 패턴은 스텝-앤-플래시 임프린트 리소그래피 (step-and-flash imprint lithography: SFIL) 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제4항에 있어서, 상기 희생몰드 패턴을 형성하는 단계는 상기 기판상에 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트막 위에 광경화성 수지막을 형성하는 단계와, 소정의 패턴이 형성되어 있는 광투과성 스탬프를 이용하여 상기 광경화성 수지막으로부터 경화된 수지 패턴을 형성하는 단계와, 상기 경화된 수지 패턴의 패턴 형상을 상기 포토레지스트막에 전사하여 상기 포토레지스트막의 일부로 이루어지는 상기 희생몰드 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제5항에 있어서, 상기 경화된 수지 패턴의 패턴 형상을 상기 포토레지스트막에 전사하기 위하여 이방성 건식 식각 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 박막은 Au막 또는 Ti/Au막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 유기분자층은 -SH 정착기에 의해 상기 금속 박막 위에 자기조립되는 자기조립 분자막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 유기분자층은 -OH, -SH, -SCOCH3, -COOH, 및 -NH로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 기를 포함하는 물질을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 유기분자층은 -COOH로 종결된 C1 ∼ C20의 알칸티올레이트(alkanethiolates), C1 ∼ C20의 알칸디티올 (alkanedithiol), 2-메르캅토이미다졸 (2-mercaptoimidazole), 2-메르캅토피리미딘 (2-mercaptopyrimidine), 시스테인 (cysteine), 또는 4-메르캅토피리딘 (4-mercaptopyridine)을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 유기분자층은 다음의 화학식 1 및 화학식 2 중 어느 하나의 식으로 표시되는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자층은 PEDOT/PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) doped with poly(4-styrenesulonate)), 폴리아닐린(polyaniline), 술폰산으로 도핑된 폴리아닐린, 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜 (polythiophene), 폴리(3,4-에틸렌티오펜) (poly(3,4-ethylenethiophene)), 폴리포르피린 (polyporphyrins), 또는 폴리메탈로센으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자층은 상기 유기분자층과의 사이에 형성되는 극성기간 결합에 의해 상기 유기분자층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자층을 형성하는 단계는 전도성 고분자가 소정의 용매에 희석된 전도성 고분자 용액을 상기 유기분자층 위에 스핀코팅(spin coating)하는 단계와, 상기 스핀코팅된 전도성 고분자 용액을 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생몰드 패턴을 제거하기 위하여 유기 용액을 이용하여 상기 희생몰드 패턴을 리프트-오프 (lift-off)시키는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 영역에서 상기 희생몰드 패턴을 제거한 후, 상기 제1 영역에서 노출된 기판 위에 상기 도전패턴의 측벽을 덮는 도전패턴간 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제16항에 있어서, 상기 도전패턴간 절연막을 형성하기 위하여 상기 기판의 상면에 비극성 유기화합물을 자기조립시키는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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제17항에 있어서, 상기 비극성 유기화합물은 C1 ∼ C20의 알킬트리클로로실란 (alkyltrichlorosilane)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전 패턴 형성 방법
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기판상에 제1 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연막 상면의 일부인 제1 영역을 덮는 희생몰드 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연막 상면중 상기 희생몰드 패턴으로 덮이지 않는 제2 영역과 상기 희생몰드 패턴의 상면에 각각 금속 박막을 형성하는 단계와, 상기 금속 박막 위에 유기분자층을 형성하는 단계와, 상기 유기분자층 위에 전도성 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 제1 영역에서 상기 희생몰드 패턴을 제거하여, 상기 제2 영역에만 남아 있는 금속 박막, 유기분자층 및 전도성 고분자층으로 각각 구성되고 제1 방향으로 각각 연장되는 복수의 하부 도전 패턴을 형성하는 단계와, 상기 복수의 하부 도전 패턴 위에 상부 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자의 제조 방법
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제19항에 있어서, 상기 상부 도전층은 상기 복수의 하부 도전 패턴과 각각 소정 영역에서 교차하도록 상기 제1 방향과는 다른 제2 방향으로 연장되는 복수의 상부 도전 패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자의 제조 방법
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제19항에 있어서, 상기 상부 도전층을 형성하기 전에, 상기 희생몰드 패턴의 제거 후 노출되는 상기 제1 절연막 위에 상기 복수의 하부 도전 패턴의 측벽을 덮는 제2 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 전자소자의 제조 방법
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