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시모스 이미지센서

기술번호 : KST2015094863
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 핀드 포토다이오드와 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 시모스 이미지센서에 관한 것으로, 기판 상에 형성되며 게이트 절연막에 의해 상기 기판과 절연되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 일측부의 상기 기판에 형성된 제 1 플로팅 영역, 상기 게이트 전극 다른 일측부의 상기 기판에 형성된 포토다이오드용 제 1 불순물영역, 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역과 상기 게이트 전극 사이의 상기 기판에 형성된 제 2 플로팅 영역, 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역과 상기 제 2 플로팅 영역을 포함하는 상기 기판의 표면부에 형성된 포토다이오드용 제 2 불순물영역을 포함한다. 시모스 이미지센서, 핀드 포토다이오드, 플로팅영역, 전하전달효율
Int. CL	H01L 27/146 (2011.01)
CPC
출원번호/일자	1020040097659 (2004.11.25)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2006-0058573 (2006.05.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2004.11.25)
심사청구항수	8

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	송영주	대한민국	대전 유성구
2	민봉기	대한민국	대전 유성구
3	강진영	대한민국	대전 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	신영무	대한민국	서울특별시 강남구 영동대로 **(대치동) KT&G타워 층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2004.11.25	수리 (Accepted)	1-1-2004-0553917-08
2	선행기술조사의뢰서(내부) Request for Prior Art Search (Inside)	2006.02.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2006.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2006-0018557-09
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.08.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0454267-00
5	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2007.01.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0001251-13
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판, 상기 기판 상에 형성되며 게이트 절연막에 의해 상기 기판과 절연되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 일측부의 상기 기판에 형성된 제 1 플로팅 영역, 상기 게이트 전극 다른 일측부의 상기 기판에 형성된 포토다이오드용 제 1 불순물영역, 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역과 상기 게이트 전극 사이의 상기 기판에 형성된 제 2 플로팅 영역, 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역과 상기 제 2 플로팅 영역을 포함하는 상기 기판의 표면부에 형성된 포토다이오드용 제 2 불순물영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역과 상기 제 2 플로팅 영역이 소정 거리 이격된 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 플로팅 영역에 동일한 형의 불순물이 주입된 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역과 상기 포토다이오드용 제 2 불순물영역에 서로 다른 형의 불순물이 주입된 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역과 상기 제 2 플로팅 영역 사이의 상기 기판에 형성된 제 3 불순물영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 제 3 불순물영역이 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역의 측면에 형성된 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서
7	7 제 5 항에 있어서, 상기 제 3 불순물영역이 상기 제 2 플로팅영역과 동일한 깊이로 형성된 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서
8	8 제 5 항에 있어서, 상기 제 3 불순물영역에 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역과 같은 형의 불순물이 주입된 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서
9	8 제 5 항에 있어서, 상기 제 3 불순물영역에 상기 포토다이오드용 제 1 불순물영역과 같은 형의 불순물이 주입된 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20060108613	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2006108613	US	미국	DOCDBFAMILY

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2004.11.25	수리 (Accepted)	1-1-2004-0553917-08
2	선행기술조사의뢰서(내부)	2006.02.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2006.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2006-0018557-09
4	의견제출통지서	2006.08.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0454267-00
5	거절결정서	2007.01.02	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0001251-13
6	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
7	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

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