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전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015095025
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 방출 소자를 구성하는 핵심 요소인 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법에 관한 것이다.본 발명이 종래의 기술에 비해서 현저하게 차이를 보이는 기술분야는 에미터용 재료를 리프트오프(lift off) 공정으로 캐소드 전극에 패터닝하는 기술로 요약된다. 본 발명에서는 에미터용 재료를 캐소드에 부착시키기 위해 에미터 혼합체(Emitting Compound)를 형성시키는 것을 특징으로 하며, 희생층을 이용하여 리프트오프 공정으로 에미터 혼합체를 패터닝한다.또한, 본 발명의 다른 실시예에서는 리프트오프 공정을 이용함으로써, 입자형의 에미터 재료를 원하는 장소에 패터닝할 수 있기 때문에, 3극형 전계 방출 소자용 캐소드를 낮은 공정 온도에서 용이하게 제작할 수 있는 방법을 제공한다.전계 방출 소자, 캐소드, 전계 방출 디스플레이, 에미터 혼합체, 패터닝
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020000072037 (2000.11.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0042230 (2002.06.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.11.30)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조영래 대한민국 대전광역시유성구
2 이진호 대한민국 대전광역시유성구
3 조경익 대한민국 대전광역시유성구
4 김도형 대한민국 울산광역시남구
5 황치선 대한민국 대전광역시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-0254545-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2002-0011006-46
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0295048-28
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0006970-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

2극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법에 있어서,

전기적 부도체 재료로 구비된 하부 기판(320)에 전기적 도전성을 갖는 물질로 다수의 캐소드 전극(340)을 형성시키고, 그 위에 희생층(Sacrificial Layer, 350)을 전역적으로 형성시키는 제 1 단계;

사진 식각 공정을 이용하여 상기 다수의 캐소드 전극(340)의 일부분을 노출시키기 위해서 상기 희생층(350)의 일부분을 제거하는 제 2 단계;

상기 제 2 단계의 결과물 상에 에미터 혼합체(360)를 균일하게 도포하는 제 3 단계; 및

상기 제 3 단계의 결과물에서 상기 희생층을 제거함으로써, 상기 에미터 혼합체를 선택적으로 제거하여 패터닝하는 제 4 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 2극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 하부 기판(320)은 유리 기판을 사용한 것을 특징으로 하는 2극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 희생층(350)은 포토레지스트(Photoresist)를 사용한 것을 특징으로 하는 2극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 캐소드 전극(340)은 띠 형으로 형성시킨 것을 특징으로 하는 2극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 에미터 혼합체(360)는 에미터용 재료 및 초순수를 주성분으로 하고 미량의 첨가제를 추가로 혼합하여 슬러리(Slurry) 상태로 형성시키는 것을 특징으로 하는 2극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 에미터용 재료는 카본을 주성분으로 하는 카본 나노 튜브, 카본 나노 입자, 결함을 가진 다이아몬드 또는 세라믹 입자들(Ceramic Particles) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

7 7

제 5 항에 있어서,

상기 첨가제는 그래파이트 입자(Graphite Particle), 폴리비닐 알콜(PVC : PolyVinyl Alcohol) 또는 터미네올(Termineol)을 포함시켜 제조된 것을 특징으로 하는 2극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

8 8

제 5 항에 있어서,

상기 첨가제는 바인더, 아크릴계 수지, 계면 활성제들 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

9 9

3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법에 있어서,

비전도성 기판 상에 다수의 캐소드 전극이 존재하며, 유전체를 사이에 두고 상기 캐소드 전극의 반대쪽에 게이트 전극이 존재하며, 상기 유전체와 상기 게이트 전극의 일부는 식각되어 상기 캐소드 전극이 노출되는 구조에서, 상기 캐소드 전극의 일부를 제외한 부분에 희생층(650, Sacrificial Layer)을 적층하는 제 1 단계;

상기 제 1 단계의 결과물 상에 에미터 혼합층(660)을 도포하는 제 2 단계; 및

상기 희생층을 제거하면서 상기 에미터 혼합체(660) 중 캐소드 전극 위에 직접 도포되어 있는 에미터 혼합체를 제외한 나머지 에미터 혼합체를 선택적으로 제거하여 패터닝하는 제 3 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 에미터 혼합체는 에미터용 재료 및 초순수를 주성분으로 하고 미량의 첨가제를 추가로 혼합하여 슬러리(Slurry) 상태로 형성시키는 것을 특징으로 하는 3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

11 11

제 10 항에 있어서,

상기 에미터용 재료는 카본을 주성분으로 하는 카본 나노 튜프, 카본 나노 입자, 결함을 가진 다이아몬드 또는 세라믹 입자들(Ceramic Particles) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

12 12

제 9 항에 있어서,

상기 첨가제는 그래파이트 입자(Graphite Particle), 폴리비닐 알콜(PVC : PolyVinyl Alcohol) 또는 터미네올(Termineol)을 포함시켜 제조된 것을 특징으로 하는 3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

13 13

제 9 항에 있어서,

상기 첨가제는 바인더, 아크릴계 수지, 계면 활성제들 중 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

14 14

3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법에 있어서,

비전도성 기판(720) 상에 다수의 캐소드 전극(740)을 형성한 후, 상기 캐소드 전극 위에 요철을 갖는 다수의 돌출부(740A)를 형성시키는 제 1 단계;

상기 제 1 단계의 결과물 상에 상기 다수의 캐소드 전극의 일부분을 제외한 나머지 부분에 유전체(730), 게이트 전극(742) 및 희생층(750, Sacrificial Layer)을 순서대로 적층하는 제 2 단계;

상기 제 2 단계의 결과물 상에 전역적으로 에미터 혼합층(760)을 도포하는 제 3 단계; 및

상기 희생층을 제거하면서 상기 에미터 혼합체(760) 중 상기 캐소드 전극(740)위에 직접 도포되어 있는 에미터 혼합체를 제외한 나머지 에미터 혼합체를 선택적으로 제거하여 패터닝하는 제 4 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

15 15

제 14 항에 있어서,

상기 에미터 혼합체는 에미터용 재료 및 초순수를 주성분으로 하고 미량의 첨가제를 추가로 혼합하여 슬러리(Slurry) 상태로 형성시키는 것을 특징으로 하는 3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

16 16

제 15 항에 있어서,

상기 에미터용 재료는 카본을 주성분으로 하는 카본 나노 튜프, 카본 나노 입자, 결함을 가진 다이아몬드 또는 세라믹 입자들(Ceramic Particles) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

17 17

제 9 항 또는 제 14 항에 있어서,

상기 비전도성 기판(620, 720)은 유리 기판을 사용한 것을 특징으로 하는 3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

18 18

제 9 항 또는 제 14항에 있어서,

상기 희생층(650, 750)은 포토레지스트(Photoresist)를 사용한 것을 특징으로 하는 3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

19 19

제 9 항 또는 제 14 항에 있어서,

상기 캐소드 전극(640, 740)은 띠 형으로 형성시킨 것을 특징으로 하는 3극형 전계 방출 소자용 캐소드 제조 방법

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1 KR1020010104960 KR 대한민국 FAMILY
2 US06682383 US 미국 FAMILY
3 US20010044251 US 미국 FAMILY

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1 US2001044251 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6682383 US 미국 DOCDBFAMILY
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