| 요약 |
본 발명은 InP 반도체 기판위에 InAlAs, InGaAs, InP 등의 에피층이 길러진 구조물을 매우 안정적이고도 부드럽게 식각할 수 있는 새로운 활성이온식각법(RIE: Reactive Ion Etching)에 관한 것이다. 본 발명에서 제시하는 RIE 식각법은 적절한 비율의 BCl3, Cl2, CH4, H2 혼합 플라즈마를 발생시킨 후 적절한 진공도에서 식각을 진행하는 것이다. 본 발명의 특징적 작용효과는 100℃ 이하의 낮은 온도에서도 깨끗한 식각이 가능하며 그렇기 때문에 용융점이 낮은 기존의 포토리지스트도 마스크 물질로 사용할 수 있다는 사실이다. 또한 마스크 물질로서 일반적으로 많이 사용되는 실리콘질화물(SiNx)의 경우에도 InAlAs 식각속도의 약 1/9에 불과하다. 본 발명의 또 다른 장점은 InAlAs, InGaAs, InP 세가지 물질 시스템에 있어서 거의 비슷한 식각속도를 준다는 점과 식각면이 매우 부드럽다는 점이다. 이러한 장점을 가진 본 발명은 앞으로 수요가 확대되고 있는 광통신용 광소자의 제작에 있어서 필수적인 공정으로 사용되어 질 것이다.RIE, 화합물 반도체, BCl3/Cl2/CH4/H2 혼합 플라즈마
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