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자기 정렬 기술을 이용한 트렌치 게이트 전력 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015095103
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 정렬 기술을 이용한 수직형 트렌치 DMOS (Trench Double diffused MOS, TDMOS) 전력 소자의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.본 발명에 따르면, 실리콘 기판 위에 산화막 및 질화막을 순차적으로 성장시킨 후, 제 1 마스크를 사용하여 불순물을 이온 주입함으로써, 소자의 채널층을 형성하는 제 1 단계; 상기 결과물 상에 측벽 산화막 및 트렌치를 순차적으로 형성한 후, 상기 측벽 산화막을 제거하여 상기 트렌치 바닥면 및 상기 측벽막 제거 영역에 불순물을 이온 주입하는 제 2 단계; 상기 트렌치 표면에 게이트 산화막을 성장시키는 제 3 단계; 상기 트렌치 내부를 제 2 마스크를 사용하여 다결정 실리콘으로 채움으로써, 게이트 전극을 형성하는 제 4 단계; 상기 트렌치 상에 산화막을 증착하고, Etch - back을 질화막이 보일 때까지 진행시킨 후, 질화막을 제거하고, 자기 정렬 기술을 이용하여 불순물을 이온 주입하여 바디 컨택트(Body Contact)를 형성하는 제 5 단계; 및 상기 결과물 상에 단자 형성을 위한 전극을 제 3 마스크를 사용하여 형성하는 제 6 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 TDMOS 전력 소자 제조 방법이 제공된다.
Int. CL H01L 27/085 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990053515 (1999.11.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0399583-0000 (2003.09.16)
공개번호/일자 10-2001-0048716 (2001.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20030926) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.11.29)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종대 대한민국 대전광역시서구
2 김상기 대한민국 대전광역시유성구
3 구진근 대한민국 대전광역시중구
4 남기수 대한민국 대전광역시유성구
5 이대우 대한민국 대전광역시유성구
6 노태문 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1999-0158746-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2001-0010310-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0177752-84
6 의견서
Written Opinion		 2001.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2001-0220314-52
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.08.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0220316-43
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0067538-52
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.04.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0130153-09
10 의견서
Written Opinion		 2002.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0130148-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0382908-08
13 의견서
Written Opinion		 2002.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2002-0432902-95
14 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.12.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0432911-06
15 등록결정서
Decision to grant		 2003.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0234174-44
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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실리콘 기판 위에 산화막 및 질화막을 순차적으로 성장시키는 제 1 단계;

포토레지스트 공정과 제1 마스크를 사용하여 상기 질화막을 식각한 후, 식각부위에 불순물을 이온 주입하고 드라이브 인하여 소자의 채널층이 형성될 p층을 형성하는 제 2 단계;

감광막을 제거한 후, 상기 식각된 질화막의 측벽에 LTO 산화막으로 측벽 산화막을 형성하는 제 3 단계;

상기 측벽 산화막을 마스크로 하는 반응성 이온 식각을 하여 트렌치를 순차적으로 형성한 후, 상기 측벽 산화막을 제거하고 상기 트렌치 바닥면 및 상기 측벽막 제거 영역에 불순물을 이온 주입하는 제 4 단계;

상기 트렌치 표면에 게이트 산화막을 성장시키는 제 5 단계;

상기 트렌치 내부를 제 2 마스크를 사용하여 다결정 실리콘으로 채움으로써, 게이트 전극을 형성하는 제 6 단계;

상기 트렌치 상에 산화막을 증착하고, 에치 백(Etch - back)을 수행하여 질화막을 제거하고, 자기 정렬 기술을 이용하여 p+ 소스를 이온 주입하여 바디 컨택트(Body Contact)를 형성하는 제 7 단계; 및

상기 제7 단계에 의한 결과물의 앞면 및 뒷면에 단자 형성을 위한 전극을 제 3 마스크를 사용하여 형성하는 제 8 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 TDMOS 전력 소자 제조 방법

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5 5

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06534365 US 미국 FAMILY
2 US20010038121 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2001038121 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6534365 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.