맞춤기술찾기

이전대상기술

리튬 고분자 2차 전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015095105
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리튬 고분자전지의 성능과 제조 공정을 개선하기 위한 것으로 종래의 리튬 2차전지가 양극판, 음극판, 전해질 막을 각각 제조하여 이들을 적층한 후 lamination하여 전지를 구성하는 것과는 달리 전해질 막을 제조하지 않고 제작한 고분자 전해질 슬러리에 전극판(양극판, 음극판)을 함침시킴으로써 전해막이 형성되게 하고 이들을 적층, 열간 압착하여 전지를 구성하면 종래의 전해막과 극판 계면의 문제점을 줄일 수 있어 전지의 성능이 개선되며 전해막 제조 공정을 단순화시킬 수 있다.
Int. CL H01M 10/0525 (2010.01) H01M 10/0585 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1019990054903 (1999.12.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0333483-0000 (2002.04.09)
공개번호/일자 10-2001-0054218 (2001.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20020425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.03)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강성구 대한민국 대전광역시유성구
2 장순호 대한민국 대전광역시유성구
3 류광선 대한민국 대전광역시유성구
4 김광만 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1999.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1999-0163039-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 등록결정서
Decision to grant
2002.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0017397-05
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

양극용 알루미늄 집전체(111)의 양면에 양극물질 슬러리(112)를 도포한 후 그 주변을 고분자 전해질(113)로 둘러 쌓여진 형상의 양전극과;

음극용 구리 집전체(115)의 양면에 음극물질 슬러리(114)를 도포한 후 그 주변을 고분자 전해질(116)로 둘러 쌓여진 형상의 음전극으로 구성되며;

상기 양전극과 음전극이 열간 압착되어 구성되는 것을 특징으로 하는 리튬 고분자 2차 전지

2 2

양극용 알루미늄 집전체위에 양극물질 슬러리를 도포하여 양전극을 형성시키는 제 1단계와;

음극용 구리 집전체위에 음극물질 슬러리를 도포하여 음전극을 형성시키는 제 2단계와;

상기 제 1단계와 제 2단계를 통해 형성되어진 전극 주변을 고분자 전해질이 둘러싸도록 하는 제 3단계; 및

상기 제 3단계를 통해 고분자 전해질로 둘러 쌓여진 형상의 음전극과 양전극을 적층한 후 열간 압착하는 제 4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 고분자 2차 전지 제조방법

3 3

제 2항에 있어서,

상기 제 3단계는 전극판을 전해질 슬러리에 딥코팅(dip coating), 함침 및 통과 등의 방법을 적용하는 것을 특징으로 하는 리튬 고분자 2차 전지 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.