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반도체 소자 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015095120
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초미세 반도체 소자의 공정에 있어 쇼트키 배리어 MOSFET을 형성하기 위한 반도체 소자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법에 관한 것으로, 2개의 챔버를 상호 연결하고, 2개의 챔버를 통해서 세정 공정, 금속층 형성공정 및 후속공정등을 인-시튜로 진행할 수 있도록 구성함으로써, 불필요한 불순물 개입이나 산화막의 형성등을 방지하고, 공정의 최적화를 구현한다. 쇼트키 배리어, 초미세 반도체 공정, MOSFET
Int. CL H01L 21/338 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020054210 (2002.09.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0429296-0000 (2004.04.16)
공개번호/일자 10-2004-0022603 (2004.03.16) 문서열기
공고번호/일자 (20040429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.09.09)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정우석 대한민국 대전광역시유성구
2 이성재 대한민국 대전광역시유성구
3 조원주 대한민국 대전광역시유성구
4 장문규 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2002-0294185-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2004-0015997-18
4 등록결정서
Decision to grant		 2004.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0142018-95
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

하부에는 시료를 탑재하도록 배치된 제1 기판 홀더, 상부에는 시료에 램프광을 조사하기 위하여 배치된 할로겐 램프 및 일측면에 시료가 출입할 수 있도록 하는 기판 도어를 구비된 제1 챔버;

하부에 시료를 탑재하도록 배치되며, 온도조절이 가능한 제2 기판홀더, 챔버의 상부와 하부를 분리하여 공정을 진행할 수 있도록 챔버의 중간부에 설치된 중간막, 상기 제2 기판홀더를 상기 중간막을 기준으로 상부와 하부로 이송하기 위하여 상기 제2 기판 홀더에 부착된 승강부 및 상기 챔버의 상부에 배치된 금속증착부를 구비하는 제2 챔버;

상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버에 연결되어 압력을 각각 조절하기 위한 펌프부;

상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버에 연결되어 가스량을 제어하여 주입하기 위한 가스주입부; 및

외부 공기의 유입이 없이 상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 사이를 왕복가능하도록 하며, 게이트 밸브를 포함하는 연결통로부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 금속 증착부는 스퍼터링건, 스퍼터링이 진행되는 동안 증착될 금속이 양옆으로 넓게 퍼짐을 막는 스퍼터 셔트 및 상기 스퍼터 셔트의 개구 정도를 조절하는 셔터 조리개를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 펌프부는 로터리 펌프와 터보 분자 펌프를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버의 온도를 측정하기 위한 써모커플을 상기 제1 및 제 2 기판홀더에 더 부착하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 제1 챔버의 측면에는 UV-램프 또는 전자소스를 제공하기 위한 포트들을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치

6 6

청구항 1 내지 5 항 중 어느 하나의 항에 기재된 반도체 제조장치를 이용한 반도체 제조방법에 있어서,

반도체 구조물이 형성된 기판상에 상기 제1 챔버를 이용하여 세정공정을 수행하는 단계; 및

상기 세정공정 후, 상기 기판을 상기 제2 챔버로 이동하여 금속막을 증착하는 단계를 포함하되,

외부의 노출없이 일괄 공정으로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 금속 증착 단계 후에, 열처리 공정을 수행하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법

8 8

제 6 항에 있어서,

상기 금속 증착 단계 전에, 상기 제2 챔버에서 희생 실리콘층 성장 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법

9 9

청구항 1 내지 5 항 중 어느 하나의 항에 기재된 반도체 제조장치를 이용한 쇼트키 배리어 MOSFET 제조방법에 있어서,

실리콘층 상에 게이트 산화막, 그 위에 게이트 전극 및 스페이서가 형성된 기판을 상기 제1 챔버에 배치하는 단계;

상기 제1 챔버를 이용하여 소오스/드레인 전극 형성을 위한 금속막 증착전, 세정공정을 수행하는 단계;

상기 세정공정 후, 상기 기판을 상기 연결통로부를 통해서 상기 제2 챔버로 이동하는 단계;

상기 제2 챔버로 이동된 기판을 중간막 상부로 상승시켜, 상기 금속증착부를 이용하여 금속층을 증착하는 단계; 및

금속층 증착이 완료된 후

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 금속층 증착 단계 전에, 상기 제2 챔버에서 희생 실리콘 성장 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 MOSFET 제조 방법

11 11

제 9 항에 있어서,

상기 세정 공정은 진공세정 또는 H2-베이크 공정이며, 상기 진공 세정은 10-8 Torr 이하의 초고진공 상태에서 650~750℃ 범위에서 60~300초 동안 열처리하는 것이며, 상기 H2-베이크 공정은 700~900℃에서 H2가 0

12 12

제 9 항에 있어서,

상기 금속 증착전 희생산화막 형성공정은 상기 제2 챔버의 중간막 하부에서 수행되며, 550~750℃에서 압력 10-8Torr 이하로 100~500초 동안 유지한 후, Si2H6 또는 SiH4 기체를 1~50sccm 로 흘려 선택적 실리콘층을 형성하는 덕을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 MOSFET 제조방법

13 13

제 9 항에 있어서,

상기 금속 증착 공정은 Ar, 또는 N2 분위기에서 압력 0

14 14

제 9 항에 있어서,

상기 금속증착후 실리사이드 형성을 위한 열처리는 상기 제1 챔버를 이용하여 압력은 10-8Torr이하로 유지한 상태에서 수행하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 배리어 MOSFET 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04351161 JP 일본 FAMILY
2 JP17538547 JP 일본 FAMILY
3 US20060048706 US 미국 FAMILY
4 US20110272279 US 미국 FAMILY
5 WO2004023545 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AU2002359079 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU2002359079 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 DE10297788 DE 독일 DOCDBFAMILY
4 DE10297788 DE 독일 DOCDBFAMILY
5 JP2005538547 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2005538547 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP2005538547 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP4351161 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 US2006048706 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US2011272279 US 미국 DOCDBFAMILY
11 WO2004023545 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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