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나노입자의 이산화티탄(TiO2), 2-프로판올, 초산 및 증류수를 혼합하여 만든 이산화티탄 콜로이드 용액을, 구부림이 가능한 전도성 기판에 도포하고 100℃ 이하의 온도에서 건조시켜 반도체 전극을 제조하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 이산화티탄 콜로이드 용액은 2-프로판올 : 초산 : 증류수를 부피비로 1 : 1∼3 : 1∼10을 혼합하고, 이산화티탄은 10∼20% 혼합하여 제조한 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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용질로서 나노입자의 전이금속 산화물과, 용매로서 2-프로판올, 초산 및 증류수를 혼합하여 나노입자 산화물 콜로이드 용액을 마련하는 단계; 상기 나노입자 산화물 콜로이드 용액을 구부림이 가능한 전도성 기판에 도포하는 단계; 상기 나노입자 산화물 콜로이드 용액이 도포된 상기 기판으로부터 상기 용매를 제거하여 나노입자 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 나노입자 산화물층에 염료분자를 흡착시켜 반도체 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 나노입자 산화물은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2) 또는 산화아연(ZnO)인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 용매는 2-프로판올 : 초산 : 증류수를 부피비로 1 : 1∼3 : 1∼10을 혼합하여 마련하고, 상기 나노입자 산화물 콜로이드 용액 중의 나노입자 산화물의 함량은 10∼20%가 되도록 혼합한 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 구부림이 가능한 전도성 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 또는 폴리에틸렌나프탈레이트과 같은 고분자판에 ITO 또는 이산화주석(SnO2)과 같은 전도성 물질을 도포한 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 나노입자 산화물층의 두께가 5∼15㎛에 달하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 나노입자 산화물 콜로이드 용액을 상기 기판에 도포할 때에는 상기 나노입자 콜로이드 용액을 60∼80℃의 온도로 가열하여 도포하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 나노입자 산화물 콜로이드 용액이 도포된 상기 기판으로부터 상기 용매를 제거할 때에는 80∼100℃의 온도에서 상기 기판을 건조시키는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 반도체 전극과 조립하기 위한 대향 전극을 형성하기 위하여, 구부림이 가능한 전도성 제2 기판에 헥사클로로플라티늄산(H2PtCl6·xH2O) 수용액을 분산하고 건조시켜 백금 이온을 입히는 단계; 및 상기 제2 기판을 나트륨보로하이드레이트(NaBH4) 수용액 처리하여 백금 이온을 백금으로 환원시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지 제조방법
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제3항에 의한 반도체 전극; 상기 반도체 전극과 대향된 전극으로서 구부림이 가능한 전도성 제2 기판 상에 형성한 백금층을 포함하는 대향 전극; 및 상기 반도체 전극과 대향 전극 사이에 개재된 전해질 용액을 포함하고, 상기 반도체 전극 중의 나노입자 산화물층 두께가 5∼15㎛인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제11항에 있어서, 상기 전해질 용액은 0
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제11항에 있어서, 상기 반도체 전극 중의 구부림이 가능한 전도성 기판과 상기 구부림이 가능한 전도성 제2 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 또는 폴리에틸렌나프탈레이트와 같은 고분자판에 ITO 또는 이산화주석(SnO2)과 같은 전도성 물질을 도포한 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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제11항에 있어서, 상기 반도체 전극 중의 구부림이 가능한 전도성 기판과 상기 구부림이 가능한 전도성 제2 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 또는 폴리에틸렌나프탈레이트와 같은 고분자판에 ITO 또는 이산화주석(SnO2)과 같은 전도성 물질을 도포한 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지
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