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탄탈륨산화막을 이용한 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015095147
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 형광체 상/하부에 절연체가 둘러싼 이중절연 구조의 교류 구동형 전계 발광소자(electroluminescent devices, ELD)에서 뛰어난 발광특성을 갖는 소자를 만들기 위하여 탄탈륨 유기금속화합물을 전구체로 사용해 만든 탄탈륨산화물 박막을 이용해 전계 발광소자를 구현한다. 탄탈륨산화물 박막은 전구체 사이의 표면 화학반응을 이용해 성장시키고, 후속 열처리 공정을 통해 절연체의 전기적 특성을 향상시켰다. 이렇게 성장한 탄탈륨산화물은 전계에 대한 절연체 파괴세기와 유전율이 높기 때문에 전계 발광소자용 절연체로 이용하면 높은 전계에서의 안정성이 뛰어나고, 소자 구동에 필요한 전압을 낮출 수 있다는 장점을 갖는다. 또한, 염소원자가 존재하지 않는 전구체를 이용함으로써 염소원자 오염을 배제할 수 있으므로 특히, II-VI족 화합물황화물(CaS, SrS, MgS, ZnS)을 모재료로 사용하는 전계 발광소자의 수명과 휘도를 증가시킬 수 있다. 교류 구동형, 전계 발광소자. 탄탈륨산화막, 반응성 표면반응, 열처리
Int. CL H01L 33/02 (2014.01)
CPC H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01) H05B 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1019990061159 (1999.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0373320-0000 (2003.02.10)
공개번호/일자 10-2001-0057760 (2001.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20030225) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.23)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용신 대한민국 대전광역시유성구
2 윤선진 대한민국 대전광역시유성구
3 박상희 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))
3 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1999.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-0179592-03
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2001.08.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2001.09.10 수리 (Accepted) 9-1-2001-0017067-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2001.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0257039-03
6 의견서
Written Opinion
2001.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2001-0307182-84
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2001.11.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0307181-38
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2002.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0181489-54
9 의견서
Written Opinion
2002.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2002-0214653-63
10 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2002.07.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0214651-72
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 등록결정서
Decision to grant
2003.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0011179-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

삭제

2 2

기판 상에 제1 전극, 하부절연층, 형광층, 상부절연층 및 제2 전극의 적층 구조로 이루어진 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법에 있어서,

상기 상부절연층과 상기 하부절연층 중 적어도 어느 하나의 층으로서 반응성 표면 화학반응 증착법을 사용하여 Ta2O5 박막을 증착하는 제1 단계와,

상기 Ta2O5 박막에 대해 400∼600℃ 온도에서 10∼300초 동안 급속열처리를 수행하는 제2 단계

를 포함하는 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법

3 3

기판 상에 제1 전극, 하부절연층, 형광층, 상부절연층 및 제2 전극의 적층 구조로 이루어진 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법에 있어서,

상기 상부절연층과 상기 하부절연층 중 적어도 어느 하나의 층으로서 반응성 표면 화학반응 증착법을 사용하여 Ta2O5 박막을 증착하는 제1 단계와,

상기 Ta2O5 박막에 대해 400∼600℃ 온도에서 30∼600분 동안 화로(furnace) 열처리를 수행하는 제2 단계

를 포함하는 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법

4 4

제2항에 있어서,

상기 상부절연층까지 적층이 이루어진 전체 구조물에 대해 500∼800℃의 온도에서 10∼300초 동안 급속열처리를 실시하는 제3 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법

5 5

제3항에 있어서,

상기 상부절연층까지 적층이 이루어진 전체 구조물에 대해 500∼800℃의 온도에서 10∼300초 동안 급속열처리를 실시하는 제3 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법

6 6

제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 제1 전극이 투명전극이고 상기 제2 전극이 금속전극인 것을 특징으로 하는 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법

7 7

제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 제1 전극이 금속전극이고 상기 제2 전극이 투명전극인 것을 특징으로 하는 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법

8 8

제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 형광층은,

SrS, MgS, CaS, ZnS 중 어느 하나의 II-VI족 화합물황화물을 모재료로 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법

9 9

제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 Ta2O5 박막은 50∼400 nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법

10 10

제2항 또는 제3항에 있어서,

상기 반응성 표면 화학반응 증착법은,

Ta(OEt)5, Ta(Oi-Pr)5, Ta[N(Et)2]5, Ta[N(Me)2]5, Ta[N(Me)(Et)]5 중 적어도 어느 하나의 전구체를 사용한 원자층증착법인 것을 특징으로 하는 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법

11 11

제2항 또는 제3항의 교류 구동형 전계 발광소자 제조방법에 따라 제조된 교류 구동형 전계 발광소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.