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실리콘 기판의 예정된 캐비티 형성 영역에 복수의 트렌치를 형성하는 단계; 상기 캐비티 형성 영역의 트렌치 구조를 선택적으로 열산화시키되, 형성된 열산화막 내에 식각제의 침투를 용이하게 하기 위한 복수의 미세기공부가 형성되도록 하는 단계; 상기 트렌치 구조의 상부를 덮는 희생산화막 패턴을 형성하는 단계; 상기 희생산화막 패턴이 형성된 전체 구조 상부에 캐비티의 상부를 차폐할 멤브레인을 형성하기 위한 멤브레인 모재용 물질막을 증착하는 단계; 상기 멤브레인 모재용 물질막을 선택 식각하여 상기 희생산화막 패턴의 가장자리의 일부를 노출시키는 단계; 노출된 상기 희생산화막 패턴의 모서리 부분을 식각 개시점으로 하여 상기 희생산화막 패턴 및 상기 열산화막을 제거하여 상기 캐비티를 형성하는 단계; 및 상기 캐비티가 형성된 전체 구조 상부에 진공 분위기에서 밀봉재용 물질막을 형성하여 상기 멤브레인과 밀봉재로 차폐된 진공 캐비티를 형성하는 단계 를 포함하는 진공 캐비티 미세구조체 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하는 단계는, 상기 실리콘 기판 상에 산화방지용 질화막을 형성하는 단계; 상기 산화방지용 질화막 상에 하드 마스크 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 트렌치 구조가 전사된 포토마스크를 사용한 사진 공정 및 식각 공정을 실시하여 상기 트렌치 구조를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 진공 캐비티 미세구조체 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 트렌치를 형성하는 단계 후, 상기 예정된 캐비티 형성 영역의 상기 트렌치 구조에 선택적으로 인(P)을 도핑하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 진공 캐비티 미세구조체 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 진공 캐비티를 형성하는 단계 후, 상기 밀봉재용 물질막의 전면 건식 식각을 수행하여 상기 멤브레인 모재용 물질막을 노출시키는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 진공 캐비티 미세구조체 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 캐비티를 형성하는 단계에서, 상기 희생산화막 패턴 및 상기 열산화막의 제거는 HF 용액 또는 무수 HF 기체를 식각제로 사용하여 습식 식각 또는 기상 식각하는 것을 특징으로 하는 진공 캐비티 미세구조체 형성방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공 캐비티는, 100∼102㎛의 깊이와 100∼103㎛의 폭 또는 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 진공 캐비티 미세구조체 형성방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 멤브레인 모재용 물질막은, 다결정실리콘막인 것을 특징으로 하는 진공 캐비티 미세구조체 형성방법
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 멤브레인 모재용 물질막은, 다결정실리콘막, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 캐비티 미세구조체 형성방법
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제2항에 있어서, 상기 포토마스크는 바(bar) 패턴을 이루거나 규칙적인 간격으로 배치된 고립 패턴을 이루되, 전사된 상기 트렌치 구조는 트렌치의 선폭(y)과 상기 트렌치간의 거리(x)의 비율이 x : y = 0
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제2항에 있어서, 상기 포토마스크는 바(bar) 패턴을 이루거나 규칙적인 간격으로 배치된 고립 패턴을 이루되, 전사된 상기 트렌치 구조는 트렌치의 선폭(y)과 상기 트렌치간의 거리(x)의 비율이 x : y = 0
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