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광 스위치 소자의 패키징을 위한 실리콘 광학 벤치에 있어서, 상기 광 스위치 소자가 장착될 제1 영역, 광 입력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제1 측면에 배치된 제2 영역, 및 광 출력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제2 측면에 배치된 제3 영역을 구비하는 실리콘 기판으로 이루어지되, 상기 제1 영역에는 상기 실리콘 기판을 관통하는 빈 공간이 마련되고, 상기 제2 영역 및 제3 영역에는 광 경로를 한정하는 렌즈 및 광섬유가 장착되도록 상기 실리콘 기판 상부에 홈들을 배치되고, 상기 실리콘 기판의 측면들 중에서 상기 제2 영역 및 제3 영역과 반대되는 측면들의 실리콘 기판 위에는 패키징될 광 스위치 소자의 전극과 컨택되도록 배치된 복수개의 단자들을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 사각 형태인 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치
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제1항에 있어서, 상기 복수개의 단자들과 상기 제1 영역 사이의 상기 실리콘 기판 위에 배치되어 상기 광 스위치 소자와의 정렬을 위한 표시 수단으로 이용되는 정렬 마크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치
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제1항에 있어서, 상기 홈들은 사각 형태 또는 V자 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 상기 제1 영역과 상기 렌즈가 장착되는 홈 사이에는 평행광에 대한 광 경로를 제공하는 홈이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치
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표면에 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 미소 거울들과 상기 미소 거울들을 둘러싸는 보호대를 구비하고, 가장자리 영역에 상기 미소 거울들을 구동하기 위한 전극들을 포함하는 광 스위치 소자; 및 상기 광 스위치 소자의 배면부가 윗쪽으로 장착되는 제1 영역, 광 입력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제1 측면에 배치된 제2 영역, 및 광 출력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제2 측면에 배치된 제3 영역을 구비하는 실리콘 기판으로 이루어지되, 상기 제1 영역에는 상기 실리콘 기판을 관통하는 빈 공간이 마련되고, 상기 제2 영역 및 제3 영역에는 광 경로에 일치되도록 홈들이 배치되며, 상기 홈들 내에 장착되어 광 경로를 한정하는 렌즈 및 광섬유를 포함하고, 상기 실리콘 기판의 측면들 중에서 상기 제2 영역 및 제3 영역과 반대되는 측면들의 실리콘 기판 위에 배치되어 상기 광 스위치 소자의 전극과 컨택되는 복수개의 단자들을 포함하는 실리콘 광학 벤치를 구비하는 것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지
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제7항에 있어서, 상기 실리콘 광학 벤치는, 상기 복수개의 단자들과 상기 제1 영역 사이의 상기 실리콘 기판 위에 배치되어 상기 광 스위치 소자와의 정렬을 위한 표시 수단으로 이용되는 정렬 마크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지
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제7항에 있어서, 상기 실리콘 광학 벤치는, 상기 실리콘 기판의 상기 제1 영역과 상기 렌즈가 장착되는 홈 사이에 평행광에 대한 광 경로를 제공하는 홈이 더 형성되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지
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제7항에 있어서, 상기 렌즈 및 광섬유는 일체형인 것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지
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제7항에 있어서, 상기 미소거울들을 둘러싸는 보호대는 글라스 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지
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제1 면 및 반대의 제2 면을 갖는 (100) 결정 방향의 실리콘 기판의 제1 면 및 제2 면 위에 열산화막을 형성하는 단계; 상기 제1 면 위의 열산화막 위에 광 스위치 소자의 전극들과 컨택될 수 있는 복수개의 금속막 패턴들을 형성하는 단계; 상기 제1 면 위의 열산화막 및 금속막 패턴들 위에 제1 마스크막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크막 패턴을 식각 마스크로 상기 열산화막의 노출 부분을 제거하여 실리콘 기판의 제1 영역을 노출시키는 단계; 상기 실리콘 기판의 노출 표면 및 상기 제1 마스크막 패턴 위에 제2 마스크막을 형성하는 단계; 상기 제2 마스크막을 패터닝하여 제2 마스크막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 마스크막 패턴을 식각 마스크로 상기 제1 마스크막 패턴 및 열산화막의 일부를 제거하여 상기 실리콘 기판의 제2 영역을 노출시키는 단계; 상기 실리콘 기판의 제2 면의 열산화막 위에 보호막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 기판의 제2 영역의 노출 부분을 일정 깊이로 제거하는 제1 식각 공정을 수행하는 단계; 상기 제2 마스크막 패턴의 일부를 제거하여 상기 실리콘 기판의 제1 영역을 노출시키는 단계; 상기 실리콘 기판의 제1 영역의 노출 부분을 일정 깊이로 제거하고 상기 제2 영역의 노출 부분을 완전히 제거하는 제2 식각 공정을 수행하는 단계; 및 상기 제2 마스크막 패턴, 제1 마스크막 패턴 및 보호막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 제1 마스크막 패턴을 형성하는 단계 및 상기 보호막을 형성하는 단계는, 스퍼터링에 의한 질화막 또는 산화막을 형성함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 제2 마스크막은 알루미늄막을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 제1 식각 공정 및 제2 식각 공정은, 식각 마스크로서의 상기 제2 마스크막 패턴과 TMAH 용액 및 KOH 용액을 이용한 습식 식각 방법을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 습식 식각 공정은 실리콘 웨이퍼의 플렛존을 기준으로 45°의 각도로 이루어지도록 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 제1 식각 공정 및 제2 식각 공정은, 유도 결합성 플라즈마-반응성 이온 식각법 또는 깊은 반응성 이온 식각법을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 제1 식각 공정 및 제2 식각 공정은, 유도 결합성 플라즈마-반응성 이온 식각법 또는 깊은 반응성 이온 식각법을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법
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