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질화갈륨 박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015095194
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초음파를 가하여 균일한 질소 래디칼을 얻기 위한 질화갈륨 박막 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 질화갈륨 박막 제조방법에 있어서, 높은 마이너스 전압을 가할 수 있는 원추형 챔버를 형성하는 제1과정과, 필라멘트에 의한 프라즈마를 형성하는 제2과정과, 자체 구조에 의해 프라즈마를 추출하는 제3과정 및 상기 제3과정과 동시에 기판에 초음파를 가하는 제4과정을 포함하여 균일도를 높이며 질화물 반도체 박막의 질을 향상시키는 데에 있으므로, 본 발명은 질화갈륨 박막 성장 중 기판에 가한 초음파에 의하여 부착력이 향상되므로 기존의 부착력이 낮아 성장이 어려웠던 물질의 성장이 가능하여지고, 부착계수를 증가시킬 수 있어 결정 성장 중 성장 압력을 충분히 낮춘 상태에서 성장 박막의 질을 향상시킬 수 있고 소오스를 절감할 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/318 (2006.01)
CPC H01L 21/0262(2013.01) H01L 21/0262(2013.01)
출원번호/일자 1019950053652 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0205065-0000 (1999.03.31)
공개번호/일자 10-1997-0052918 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재진 대한민국 대전광역시 유성구
2 이해권 대한민국 대전광역시 유성구
3 서경수 대한민국 대전광역시 유성구
4 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207344-40
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207345-96
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207346-31
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.07 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207347-87
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207348-22
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109499-24
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.10.27 수리 (Accepted) 1-1-1995-0751515-11
8 의견서
Written Opinion		 1998.11.27 수리 (Accepted) 1-1-1995-0756333-70
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.11.27 수리 (Accepted) 1-1-1995-0756313-67
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.11.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1995-0756364-85
11 등록사정서
Decision to grant		 1999.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0018245-35
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

질화갈륨 박막 제조방법에 있어서, 균일한 질소래디칼을 얻기 위하여 높은 마이너스(-)전압을 가할 수 있는 원추형 챔버를 형성하는 제1과정과; 필라멘트에 의한 프라즈마를 형성하는 제2과정과; 자체 구조에 의해 프라즈마를 추출하는 제3과정; 및 상기 제3과정과 동시에 기판에 초음파를 가하는 제4과정을 포함하여 균일도를 높이며 질화물 반도체 박막의 질을 향상시키는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 박막 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 초음파 진동자를 소오스의 원추형 챔버 외벽에 장착하고; 질소 프라즈마를 추출하여 소오스로 사용하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 박막 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03226796 JP 일본 FAMILY
2 JP09169600 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP3226796 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP9169600 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH09169600 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.