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반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015095203
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 0.18 um급 이상의 디자인 룰을 갖는 차세대 반도체 소자에 적용할 수 있는 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 낮은 온도에서 양질의 게이트 산화막을 형성하는 방법이다. 불소기를 포함하는 가스를 이용하여 게이트 영역의 자연산화막을 제거하고 동시에 불소에 의한 표면 처리효과를 이용하는 것으로 이로 인해 다음의 플라즈마 산화공정에 의한 산화막의 계면특성을 우수하게 하고 산화막의 성장속도를 쉽게 조절할 수 있다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02315(2013.01) H01L 21/02315(2013.01) H01L 21/02315(2013.01) H01L 21/02315(2013.01)
출원번호/일자 1019960064454 (1996.12.11)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0046161 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 포기
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강승열 대한민국 서울특별시 은평구
2 장원익 대한민국 대전광역시 유성구
3 백종태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0214812-16
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0214811-60
3 특허출원서
Patent Application		 1996.12.11 수리 (Accepted) 1-1-1996-0214810-14
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1996-0214813-51
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0160683-62
6 출원포기서
Abandonment of Application		 1999.07.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-5272263-30
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체 기판 상에 형성된 자연산화막을 제거하기 위해 불소기를 포함한 가스를 소오스 가스로한 제1플라즈마로 기판 표면을 처리하는 단계; 및

불소기를 포함하는 산화 가스를 소오스 가스로한 제2플라즈마에 의해 상기 반도체 기판 표면에 산화막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 게이트산화막 형성 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 기판 표면 처리를 위한 제1플라즈마 소오스 가스는 불소기 함유 가스를 불활성 기체로 희석시킨 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성 방법

3 3

제 2 항에 있어서,

상기 불소기 함유 가스 CF4, NF3, 또는 F2 중 어느하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 기판 표면 처리시, 상기 자연산화막이 제거된 상기 반도체 기판 표면에 불소기를 잔류시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 제2플라즈마의 소오스 가스인 산화 가스는 불소기를 포함하는 O2 또는 불소기를 포함하는 N2O를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 산화막과 그 하부의 반도체와의 계면에 불소기를 잔류시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.