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파장선택성을 갖는 반도체 광여과기 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015095222
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술에서 두 도파로의 간격이 너무 밀집되었기 때문에 광섬유를 부착할 경우에 크로스 토크가 발생하는 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 n-형 InP 기판(1)과 그 위에 적층된 n-형 InP 완충층(2), 그 위에 출력단 근처에서 수평방향으로 휘어지도록 공간적으로 제한된 형태로 적층된 InGaAsP 제 1광도파로층(3), 그 위에 적층된 InP(4), 그 위에 적층되고 10~20의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 InGaAsP 회절격자층(5), 그 위에 적층된 InP(6), 그 위에 적층되고 공간적으로 제한된 InGaAsP 제 2광도파로층(7), 그 위에 적층된 n-형 InP 클래드층(8), 그 위에 적층된 도핑하지 않은 InGaAs 옴 접촉층(9), 그 위에 도핑하지 않고 제 2광도파로층보다 1~10 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 InP 표면보호층(10)으로 구성된 웨이퍼 상에 제 2광도파로 층보다 1~10더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 실리콘 나이트라이드 또는 이산화 규소와 같은 유전물질(11), 그 창을 통해 제 2도파로의 일부까지 깊게 확산된 p-형 불순물층(12), 그 위에 적층된 p-형 전극금속층(13) 및 기판아래에 제작된 n-형 전극금속층(14)로 구성되어, 구 광도파로 사이의 거리를 공간적으로 멀리 떨어지게 하여 채널 크로스 토크를 줄일 수가 있으며, 안정된 pn 접합을 형성할 수가 있어 여과하고자 하는 광파장을 바꾸고 싶을 때에 주입되는 전류를 작게 함으로써 안정된 튜닝은 물론 역전압에 대한 튜닝도 할 수 있다.
Int. CL H01L 27/14 (2006.01)
CPC H01L 31/02162(2013.01)
출원번호/일자 1019960034662 (1996.08.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0212000-0000 (1999.05.06)
공개번호/일자 10-1998-0015365 (1998.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (19990802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.08.21)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박찬용 대한민국 대전광역시 유성구
2 김덕봉 대한민국 부산광역시 동구
3 오광룡 대한민국 대전광역시 유성구
4 김정수 대한민국 대전광역시 유성구
5 김홍만 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0122973-67
2 특허출원서
Patent Application		 1996.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0122971-76
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0122972-11
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.10 수리 (Accepted) 1-1-1996-0122974-13
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1996-0122975-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
7 등록사정서
Decision to grant		 1999.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0053085-92
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1999.03.11 수리 (Accepted) 1-1-1999-5108067-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

n-형 InP 기판(1)과 그 위에 적층된 n-형 InP 완충층(2), 그 위에 출력단 근처에서 수평방향으로 휘어지도록 공간적으로 제한된 형태로 적층된 InGaAsP 제 1광도파로층(3), 그 위에 적층된 InP(4), 그 위에 적층되고 10~20 2

제1항에 있어서, 제 1광도파로층은 0

3 3

제1항에 있어서, 상기 제 2광도파로층은 1~3 4

제1항에 있어서, n-형 클래드층(8)과 옴접촉층(9) 및 표면보호층(10)에 수평공간적으로 제한된 영역만 p형이 형성된 것을 특징으로 하는 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기

5 5

제1항에 있어서, 상기 InP를 사용한 각 층은 InAlAs를 사용하는 것을 특징으로 하는 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기

6 6

제1항에 있어서, 상기 InGaAsP를 사용한 각 층은 InGaAlAs를 사용하는 것을 특징으로 하는 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기

7 7

제1항에 있어서, 상기 제 1광도파로층은 0

8 8

제1항에 있어서, 상기 제 2광도파로층은 1

9 9

n-형 InP 기판(1) 위에 n-형 InP 완충층(2)을 형성하고, 그 위에 상기기판(1)에 격자정합되고 밴드갭이 0

10 10

제9항에 있어서, 상기 제 1광도파로는 1~2 11

제9항에 있어서, 상기 회절격자는 10~20 12

제9항에 있어서, 상기 유전물질은 상기 제 2광도파로의 폭보다 1~10 13

제9항에 있어서 상기 SiNx을 사용한 유전물질이 열린 창 아래의 공간적으로 제한된 p-형 영역을 확산에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기의 제조방법

14 14

제9항에 있어서, 상기 제 1광도파로는 습식식각 또는 건식식각에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기의 제조방법

15 15

제9항에 있어서, 상기 제 2광도파로는 습식식각 또는 건식식각에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기의 제조방법

16 16

제 9항에 있어서, 상기 제 2광도파로는 제 1도파로의 위치와 서로 바뀌게 형성하는 것을 특징으로 하는 파장선택성을 갖는 반도체 광여과기의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.