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GaAs 기판(1) 상에 전자빔 결정성장(MBE) 방법으로 광반사층(2)과 활성영역(3)을 순차로 성장시키는 제 1 공정과, 입사광 및 출사광의 통로를 결정하기 위하여 광학적 윈도우를 형성하고 상기 활성영역(3)내에 수평전계를 형성하기 위하여 상기 활성영역(3)에 수직한 방향으로 N형 이온 및 P형 이온을 이온주입하여 각각 N형 도핑영역(4) 및 P형 도핑영역(5)을 형성하는 제 2 공정과, 각 소자들을 전기적으로 분리시키기 위하여 상기 활성영역(3)내에 전기적 고립영역(6)을 형성하는 제 3 공정과, 상기 N형 도핑영역(4) 및 상기 P형 도핑영역(5)상에 금속막으로 전극접촉(7)을 형성하는 제 4 공정 및, 상기 광학적 윈도우의 표면반사 때문에 발생되는 반사 손실을 줄이기 위하여 무반사막(8)을 도포하는 제 5 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭 소자의 제조방법
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제 1 항의 제 2 공정에 있어서, 상기 N형 도핑영역(4) 및 상기 P형 도핑영역(5)으로 각각 주입되는 상기 N형 이온 및 상기 P형 이온의 이온주입 가속에너지는 상기 N형 이온의 질량 및 상기 P형 이온의 질량에 상응하게 변화시키는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 N형 이온은 Be 이온이고 상기 P형 이온은 Si 이온인 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭 소자의 제조방법
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제2 또는 제 3 항에 있어서, 상기 Be 이온의 바람직한 이온주입 가속에너지는 200Kev이고, 상기 Si 이온의 바람직한 이온주입 가속에너지는 1MeV인 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭 소자의 제조방법
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제 1 항의 제 3 공정에 있어서, 상기 전기적 고립영역(6)은 양성자 충격방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭 소자의 제조방법
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GaAs 기판(1)상에 전자빔 결정성장(MBE) 방법으로 광반사층(2)과 활성영역(3)을 순차로 성장시키고, 입력광 및 출력광의 통로를 결정하기 위하여 광학적 윈도우를 형성하고, 상기 활성영역(3)내에 수평전계를 형성하기 위하여 상기 활성영역(3)에 수직한 방향으로 N형 이온 및 P형 이온을 이온주입하여 각각 N형 도핑영역(4) 및 P형 도핑영역(5)을 형성하고, 각 상기 활성영역(3)내에 전기적 고립영역(6)을 형성하고 SEED를 제조하는 단계와 ; 상기 단계에서 제조된 하나의 SEED의 상기 N형 도핑영역(4)과 다른 하나의 SEED의 상기 P형 도핑영역(5)이 상호 인접하도록 두개의 SEED들을 직렬접속한 후 금속막을 증착시켜 전극접촉(7)을 형성하고, 상기 광학적 윈도우의 표면반사로 인하여 발생되는 반사손실을 줄이기 위하여 무반사막(8)을 도포하여 S-SEED를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수평 전계 반도체 광스위칭 소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 N형 도핑영역(4) 및 상기 P형 도핑영역(5)으로 각각 주입되는 상기 N형 이온 및 상기 P형 이온의 이온주입 가속에너지는 상기 N형 이온의 질량 및 상기 P형 이온의 질량에 상응하게 변화시키는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭 소자
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제 7 항에 있어서, 상기 N형 이온은 Be 이온이고 상기 P형 이온은 Si 이온인 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체에 광스위칭소자의 제조방법
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제7 또는 제 8 항에 있어서, 상기 Be 이온의 바람직한 이온주입 가속에너지는 200KeV이고, 상기 Si 이온의 바람직한 이온주입 가속에너지는 1MeV인 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭 소자의 제조방법
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10
제 6 항에 있어서, 상기 전기적 고립영역(6)은 양성자 충격법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭 소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 전극접촉(7)을 형성하기 위하여 증착하는 금속막을 Au인 것을 특징으로 하는 수평전계 반도체 광스위칭 소자의 제조방법
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