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단일다결정실리콘을이용한고속바이폴라소자제조방법

  • 기술번호 : KST2015095227
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 컴퓨터, 통신기기 및 고속정보처리시스템에서 필요로하는 고속바이폴라소자의 제조방법에 관한 것으로서, 종래에는 에미티-베이스 다결정실리콘전극간의 격리를 위한 측벽산화막을 소자의 활성영역안쪽에 정의함으로써, 서브미크론의 에미터선폭을 쉽게 실현할 수 있으나, 두가지의 중요한 단점을 가진다.첫째, P+다결정실리콘의 선택적 건식시각을 위한 P+다결정 실리콘의 열적산화막 성장시, 붕소(boron)의 역확산에 의한 베이스 접합깊이의 불균일성, 즉 비활성 및 활성 베이스영역을 형성하기 위한 P+불순물의 동시주입으로 베이스의 접합깊이 및 불순물분포의 제어가 어렵다.둘째, 소자의 전체크기를 결정짓 P+다결정실리콘의 선행정의는 에미터-베이스 및 베이스-콜렉터간이 격리를 위한 P+다결정실리콘의 건식식각시, 식각의 종점결정을 어렵게 한다.이러한 단점들을 소자제조공정상이 신뢰도를 떨어뜨리는 결과를 초래한다.본 발명은 소자의 비활성베이스 다결정실리콘 전극을 활성베이스영역과 구분하여 BSG산화막으로 부터 붕소(boron)를 도핑하고 활성베이스영역은 차후 이온주입으로 조절함으로써 불순물농도 및 접합깊이의 제어가 용이하고, 또한 에미터-베이스 격리구간의 건식식각시 넓은 필드 산화막영역이 노출되므로써 건식식각의 종점조정이 용이하게 하여, 바이폴라소자의 전기적특성의 균질화와 공정신뢰도 및 소자성능을 향상시키도록 한 것이다.
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 29/66234(2013.01) H01L 29/66234(2013.01) H01L 29/66234(2013.01)
출원번호/일자 1019910021084 (1991.11.25)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0081808-0000 (1995.01.25)
공개번호/일자 10-1993-0011283 (1993.06.24) 문서열기
공고번호/일자 1019940010517 (19941024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.11.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구진근 대한민국 대전직할시유성구
2 한태현 대한민국 대전직할시유성구
3 김귀동 대한민국 대전직할시유성구
4 구용서 대한민국 대전직할시유성구
5 강상원 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1991.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116569-55
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116572-93
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116571-47
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116570-02
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0055378-60
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116574-84
7 의견서
Written Opinion		 1994.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1991-0116573-38
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0055379-16
9 등록사정서
Decision to grant		 1995.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0055380-52
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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서브-콜렉터(23), 에피층(22), 격리산화막(19) 및 n+컬렉터가 형성된 기판상에 다결정 실리콘(1), BSG(Boron Silicate Glass)(2)막, 질화막(3), 및 다결정 실리콘(4)을 LPCVD 방법으로 차례로 도포하는 제1공정 ; 베이스 전극 이외의 영역에 있는 다결정 실리콘(4), 질화막(3) 및 BSG 산화막(2)들을 비등방성 건식식각한 후, 그 측면에 측벽질화막(5)을 형성하는 제2공정 ; 상기 제2공정의 건식식각에 의해 노출된 다결정 실리콘(1,4)의 일부를 산화시켜 열산화막(6)을 형성하고, 식각종점을 용이하게 알 수 있도록 상기 격리산화막(19) 상부에 형성된 열산화막(6)을 제거하는 제3공정과 ; 상기 측벽질화막(5)을 습식식각하고 노출된 다결정 실리콘(1)을 식각하여, 이 식각부위에 붕소를 이온주입한후 열처리 하여 p+확산층(11)을 형성하는 제4공정 ; 에미터, 베이스 및 콜렉터의 다결정 실리콘(7),(8),(9)들을 격리하기 위하여 측면 산화막(13)을 형성하고 활성베이스 형성을 위하여 붕소(BF2)를 이온주입하는 제5공정 ; 상기 에미터 다결정 실리콘(7)에 n형 불순물을 주입한 후, 열처리하여 활성베이스(14) 및 에미터(15)를 형성하는 제6공정 ; 및 상기 에미터, 베이스 및 콜렉터 다결정 실리콘(7,8,9)에 전극을 배선하는 금속배선을 위한 제7공정으로 구성되는 단일 다결정 실리콘을 이용한 고속 바이폴라 소자 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.