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표면방출레이저다이오드의제조방법

  • 기술번호 : KST2015095231
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수직공진형 표면방출 레이저의 제작에서 식각표면의 비활성화 처리에 관한 발명으로서, 식각된 활성층과 거울층의 표면보호를 위해, 100∼300℃의 저온에서 비정질 갈륨비소를 증착시켜 식각표면을 전기적으로 비활성화 시킨 것을 특징으로 하는 표면방출 레이저 소자의 제작방법이다.
Int. CL H01S 5/18 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/18361(2013.01) H01S 5/18361(2013.01) H01S 5/18361(2013.01)
출원번호/일자 1019940025172 (1994.09.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0146712-0000 (1998.05.12)
공개번호/일자 10-1996-0012640 (1996.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (19981102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.09.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박효훈 대한민국 대전직할시유성구
2 유병수 대한민국 대전직할시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114084-81
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114083-35
3 특허출원서
Patent Application		 1994.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114082-90
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.11.04 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114085-26
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114086-72
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114087-17
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0064039-12
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.01.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114089-19
9 의견서
Written Opinion		 1998.01.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114088-63
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0064040-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

수직공진형 표면방출 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서, 화합물 반도체 기판(1) 위에 하부거울층(2), 활성층(3) 및 상부 거울층(4)이 성장된 수직공진형 레이저 구조를 갖는 소정의 기판에 후면전극(5)을 형성하는 공정; 상기 상부 거울층(4) 상부에 소정 패턴의 금속 마스크(6)를 증착한 후, 이 금속 마스크(6)를 이용하여 상부 거울층(4), 활성층(3) 및 하부 거울층(2)의 일부를 식각하여 굴절유도 공진표면을 형성하는 공정; 상기 식각된 공진표면의 비활성화 처리 및 소자분리를 위하여 반부도체인 비정질 갈륨비소층(7)을 100∼300℃의 저온에서 증착하는 공정; 및 상기 금속 마스크(6)가 노출될 때까지 비정질 갈륨비소층(7)을 식각한 후, 노출된 금속 마스크(6) 상부에 상부 전극(8)을 배선하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 식각된 공진표면을 평탄화 하기 위하여 비정질 갈륨비소층(7)이 식각에 의한 요철을 충분히 덮을 수 있는 1∼3μm의 두께로 증착됨을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.