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질소화합물반도체제조를위한질소래디칼생성장치

  • 기술번호 : KST2015095247
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초고진공 중에서 질소 래디칼을 생성하는 소오스로서 특히 반응에 활성화된 질소 래디칼을 형성하고 프라즈마 챔버의 자체 형태에 의해 프라즈마를 추출하면서 초음파를 이용해 균일도를 높여 질화물 화합물 반도체 제작시 결정성과 전기적인 특성을 향상시킬 수 있는 질소 래디칼 생성장치에 관한 것이다.본 발명은 분자선 에피택시 장비를 이용한 질소 래디칼 발생장치에 있어서, 하전된 질소 래디칼과 화학결합하여 질화물 반도체를 형성할 수 있는 기판; 프라즈마가 밀도차에 의해 상기 기판을 향하여 입사될 수 있도록 원추형상의 구조를 갖는 챔버; 상기 챔버의 외측벽에 형성되어 프라즈마를 형성하기 위한 마그네트; 상기 챔버내로 불활성 가스인 질소를 주입하기 위한 니들밸브; 상기 니들밸브로부터 유입된 질소가스를 침버내로 확산시키기 위한 확산자; 확산된 질소가스를 이온화시키기 위한 필라멘트; 및 형성된 프라즈마와 균일한 분포를 이룰 수 있도록 상기 챔버의 하측외벽에 부착된 초음파 진동자로 구성된다.
Int. CL C30B 25/02 (2006.01)
CPC H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01)
출원번호/일자 1019940023881 (1994.09.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0119281-0000 (1997.07.30)
공개번호/일자 10-1996-0010911 (1996.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (19980701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.09.22)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재진 대한민국 대전직할시유성구
2 이해권 대한민국 대전직할시유성구
3 김경수 대한민국 대전직할시서구
4 박형무 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0108379-58
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0108380-05
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0108381-40
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0108382-96
5 등록사정서
Decision to grant		 1997.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0060827-91
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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분자선 에피택시 장비를 이용한 질소 래디칼 발생장치에 있어서, 하전된 질소 래디칼과 화학결합하여 질화물 반도체를 형성할 수 있는 기판; 프라즈마가 밀도차에 의해 상기 기판을 향하여 입사될 수 있도록 원추형상의 구조를 갖는 챔버; 상기 챔버의 외측벽에 형성되어 프라즈마를 형성하기 위한 마그네트; 상기 챔버내로 불활성 가스인 질소를 주입하기 위한 니들밸브; 상기 니들밸브로부터 유입된 질소가스를 챔버내로 확산시키기 위한 확산자; 확산된 질소가스를 이온화시키기 위한 필라멘트; 및 형성된 프라즈마가 균일한 분포를 이룰 수 있도록 상기 챔버의 하측외벽에 부착된 초음파 진동자로 구성된 것을 특징으로하는 질소 래디칼 생성장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.