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갈륨비소화합물반도체장치의제조방법

  • 기술번호 : KST2015095251
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨비소 화합물 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이고 갈륨비소 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 갈륨비소 기판상에 감광막을 도포한후 감광막의 패턴을 형성하고 습식식각법으로 기판을 식각하는 공정과, 식각된 기판에 감률비소초기층(6)과 알루미늄비소층(7) 및 갈륨비소활성층(8)을 순차로 성장시키는 에피택시층 성장공정과, 상기 공정에서 성장된 에피택시층상에 오믹접촉금속(5)을 형성하는 공정및 부식액으로 상기 알루미늄 비소층(7)만을 선택적으로 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 반도체 장치의 제조방법.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/66045(2013.01) H01L 29/66045(2013.01)
출원번호/일자 1019910024511 (1991.12.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0082489-0000 (1995.02.17)
공개번호/일자 10-1993-0015091 (1993.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019940010927 (19941119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.12.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대전직할시중구
2 이해권 대한민국 대전직할시유성구
3 강진영 대한민국 대전직할시유성구
4 이용탁 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133777-99
2 특허출원서
Patent Application		 1991.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133774-52
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133776-43
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133775-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0064516-86
6 의견서
Written Opinion		 1994.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133778-34
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0133779-80
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0064517-21
9 등록사정서
Decision to grant		 1995.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0064518-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

갈륨비소 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 갈륨비소 기판상에 감광막을 도포한후 감광막의 패텅을 형성하고 습식식각방법으로 기판을 식각하는 공정과, 식각된 기판에 갈륨비소 초기층(6)과 알루미늄 비소층(7) 및 갈륨비소 활성층(8)을 순차로 성장시키는 에피택시층 성장공정과, 상기 공정에서 성장된 에피택시층상에 오믹접촉금속(5)을 형성하는 공정 및, 염산(HCl)이나 완충산화막 식각제(BOE)로 상기 알루미늄 비소층(7)만을 선택적으로 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 반도체 장치의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 에피택시층 성장공정은 MBE 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 반도체 장치의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.