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플립칩본딩된광소자의높이조절및열특성향상방법

  • 기술번호 : KST2015095265
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플립칩 본딩된 광소자의 높이조절 및 열특성 향상방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 광소자를 플립칩 본딩 방법으로 정렬하여 광섬유와의 광결합을 이루고자 할 때에 솔더범프 열의 사이인 광소자의 도파로 아래쪽에 위치하는 실리콘 기판에 일정한 길이의 금속으로 된 금속지지대를 정렬하고자 하는 높이로 형성함으로써 이 위에 높인 광소자의 토파로가 광섬유의 중심축과 일치하도록 높이를 정확하게 제어하고 본딩후 광소자의 작동시 금속접촉에 의한 열통로를 제공하기 의한 광소자의 플립칩 본딩시 높이조절 및 열특성 향상방법에 관한 것이다.특징적인 구성으로는 광소자와 광섬유 정렬용 실리콘 웨이퍼위에 절연물을 전면 증착하는 제 1공정과, 상기 제 1공정에서 증착된 절연물위에 포토레지스트를 도포하여 노광 공정을 통하여 패턴을 정의한 후 실리콘 질화물을 건식 식각하여 V-홈 식각용 개구를 만드는 제 2공정과, 상기 제 2공정에서의 포토레지스트를 제거한 후 실리콘 질화물을 식각 방지막으로 하여 V-홈 형성용 개구에 식각공정을 실시하여 V-홈을 형성하는 제 3공정과, 솔더 본딩을 위하여 솔더 접착이 가능한 금속층을 형성하기 위해 먼저 상기 제 3공정에서 V-홈이 형성된 기판위에 포토레지스트를 도포하고 노광 공정을 하여 패턴을 정의한 개구를 만든 후 전면에 금속층을 증착하고 리프트-오프 공정을 이용하여 금속층 패드를 남기는 제 4공정과, 전극을 가하기 위한 금속층을 실리콘 웨이퍼 전면에 얇게 증착한 후 포토레지스트를 사용하여 금속지지대 패턴을 정의하고 지지대를 형성한 후 포토레지스트를 제거하고 전극을 가하기 위한 금속층을 식각하여 금속지지대만을 남기는 제 5공정과, 상기 제 5공정에서의 실리콘 기판위에 상기 제 4공정에서의 금속막 패드형성 공정과 동일하게 후막 포토레지스트를 도포하고 노광을 하여 솔더증착을 위한 패턴을 정의한 후 실리콘 웨이퍼의 전면에 솔더를 증착하고 아세톤 용액중에서 후막 포토레지스트를 제거하여 금속층 패드위의 솔더범프를 남기는 제 6공정과, 상기 제 6공정에서 증착된 솔더의 조성 균일화를 위하여 질소 분위기의 오븐에서 리플로우(reflow)공정을 하여 용융된 솔더의 표면 장력으로 인하여 솔더의 형태가 둥글도록 하는 제 7공정과, 기판에 있는 솔더범프 패드 패턴에 상응하는 금속층 패턴이 있는 광소자를 플립칩 본딩을 실시하는 제 8공정으로 이루어짐에 있다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01)
CPC H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01)
출원번호/일자 1019940032107 (1994.11.30)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0142524-0000 (1998.04.01)
공개번호/일자 10-1996-0019811 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주관종 대한민국 대전직할시유성구
2 이상환 대한민국 대전직할시서구
3 김홍만 대한민국 대전직할시유성구
4 김동구 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144667-36
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144666-91
3 특허출원서
Patent Application		 1994.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144665-45
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144668-82
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144669-27
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.03.17 수리 (Accepted) 1-1-1994-0144670-74
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0080780-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

광소자와 광섬유 정렬용 실리콘 웨이퍼 위에 절연물을 전면 증착하는 제 1공정과, 상기 제 1공정에서 증착된 절연물위에 포토 레지스트를 도포하여 노광 공정을 통하여 패턴을 정의한 후 실리콘 질화물을 건식 식각하여 V-홈 식각용 개구를 만드는 제 2공정과, 상기 제 2공정에서의 포토 레지스트를 제거한 후 실리콘 질화물을 식각 방지막으로 하여 V-홈 형성용 개구에 식각공정을 실시하여 V-홈을 형성하는 제 3공정과, 솔더 본딩을 위하여 솔더 접착이 가능한 금속층을 형성하기 위해 먼저 상기 제 3공정에서 V-홈이 형성된 기판위에 포토 레지스트를 도포하고 노광 공정을 실시하여 패턴을 정의한 개구를 만든 후 전면에 금속층을 증착하고 리프트-오프 공정을 이용하여 금속층 패드를 남기는 제 4공정과, 전극을 연결하기 위한 금속층을 실리콘 웨이퍼 전면에 얇게 증착한후 포토 레지스트를 사용하여 금속지지대 패턴을 정의하고 지지대를 형성한 후 포토 레지스트를 제거하고 전극을 가하기 위한 금속층을 식각하여 금속지지대만을 남기는 제 5공정과, 상기 제 5공정에서의 실리콘 기판위에 상기 제 4공정에서의 금속막 패드형성 공정과 동일하게 후막 포토 레지스트를 도포하고 노광을 하여 솔더증착을 위한 패턴을 정의한 후 실리콘 웨이퍼의 전면에 솔더를 증착하고 아세톤 용액중에서 후막 포토 레지스트를 제거하여 금속층 패드위의 솔더범프를 남기는 제 6공정과, 상기 제 6공정에서 증착된 솔더의 조성 균일화를 위하여 질소 분위기의 오븐에서 리플로우(reflow)공정을 하여 용융된 솔더의 표면 장력으로 인하여 솔더의 형태가 둥글도록 하는 제 7공정과, 기판에 있는 솔더범프 패드 패턴에 상응하는 금속층 패턴이 있는 광소자를 플립칩 본딩을 실시하는 제 8공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩된 광소자의 높이조절 및 열특성 향상방법

2 2

제 1 항에 있어서, 금속층 증착 공정시 금속지지대가 형성될 위치에 금속층 패드를 형성하는 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩된 광소자의 높이조절 및 열특성 향상방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 5공정은 광소자와 금속지지대간의 접촉성을 높이기 위해 실리콘 웨이퍼와 광소자의 기판에 모두 금속지지대 패드를 형성하는 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩된 광소자의 높이조절 및 열특성 향상방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제 6공정은 증착된 솔더범프의 양을 리플로우시에는 그 높이가 금속지지대보다 높으면서 본딩이 되었을 때 솔더조인트의 높이는 금속지지대의 높이보다 낮게 조절하여 본딩된 솔더조인트의 형상을 조절하는 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩된 광소자의 높이조절 및 열특성 향상방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 제 6공정은 광소자의 플립칩 본딩시 금속지지대를 이용하여 높이의 조절과 동시에 X-방향의 정렬을 이루기 위해 솔더범프가 용융된 상태에서 표면장력에 의한 자기정렬의 원리를 이용하여 X방향의 정렬을 이룬 후 위쪽에서 아래쪽으로 광소자에 수직압력을 가하여 광소자의 밑면이 금속지지대와 닿도록 하고 그 상태에서 솔더범프의 용융점이하로 냉각을 하여 고정시켜 정렬하는 것을 특징으로 하는 플립칩 본딩된 광소자의 높이 조절 및 열특성 향상방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.