| 1 |
1
반절연 GaAs 기판(8)상에 통상의 이종접합 트랜지스터를 형성하기 위해 GaAs 부콜렉터층(7), GaAs 콜렉터층(6), GaAs 베이스층(5), AlGaAs 에미터층(4) 및 GaAs 오믹접촉층(3)을 순차 형성하는 공정과, 상기 GaAs 오믹접촉층(3)상에 AlAs 선택식각층(2)과 GaAs 보호층(1)을 순차 형성하는 공정과, 에미터 영역을 정의하기 위해, 습식메사 식각방법을 이용하여 상기 GaAs 보호층(1), AlaS 선택식각층(2), GaAs 오믹접촉층(3) 및 AlGaAs 에미터층(4)을 식각하여 역메사 구조를 갖는 공정과, 상기 노출된 AlGaAs 에미터층(4)상에 비이스 오믹 접촉층(9)을 형성하는 공정과, 상기 역메사 구조의 GaAs 보호층(1)과 AlaS 선택식각층(2)을 제거한 다음 실리콘 산화막(10)을 도포하는 공정과, 상기 GaAs 부콜렉터층(7)의 일부가 노출되도록 그 위에 적층된 층들을 식각하여 제거하는 공정과, 상기 노출된 부콜렉터층(7)과 상기 역메사 구조의 GaAs 오믹접촉층(3)상에 에미터/콜렉터 오믹접촉 금속층(11)을 형성하는 공정과, 상기 베이스 오믹접촉층(9)상에 베이스 오믹접촉 금속층(12)을 형성하는 공정 및, 상기 기판상에 모두 실리콘 질화막(13)을 피복하되, 상기 오믹접촉 금속층(11), (12)상에 금속층(14)을 형성하는 공정을 포함하는 자기정렬된 베이스의 재성장에 의한 이종접합 트랜지스터의 제조방법
|
