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수소화에의한이득유도형표면방출레이저다이오드의제조방법

  • 기술번호 : KST2015095304
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이득유도 수지공진형 표면방출 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 수소이온 확산에 의한 수소화 처리로 거울층과 활성층을 전기적으로 비활성화 시키는 방법에 관한 것이다.본 발명은 소정의 마스크 패턴을 이용하여 수소 플라즈마 분위기에서 수소이온을 확산시켜 마스크 패턴 하부의 거울층과 활성층(또는 전류주입 영역)을 전기적으로 비활성화 시키고, 평탄화시킴과 아울러 전류주입 영역 및 소자간을 격리시킬 수 있는 수소이온의 확산에 의한 비활성화 영역의 형성 방법이다.
Int. CL H01S 5/18 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/183(2013.01) H01S 5/183(2013.01)
출원번호/일자 1019940028975 (1994.11.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0138854-0000 (1998.02.23)
공개번호/일자 10-1996-0019879 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19980601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.05)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병수 대한민국 대전직할시대덕구
2 박효훈 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1994.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131039-80
2 특허출원서
Patent Application
1994.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131038-34
3 출원심사청구서
Request for Examination
1994.11.05 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131040-26
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131041-72
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0131042-17
6 등록사정서
Decision to grant
1998.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0073303-83
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

이득유도 수직공진형 표면방출 레이저 다이오드의 제작방법에 있어서,

하부거울층(2), 활성층(3), 및 상부거울층(4)이 순차적으로 에피 성장된 수직공진형 레이저 구조를 갖는 소정의 화합물반도체 기판(1)의 전표면에 보호막(5)을, 기판(1)의 후면에는 n형 전극(6)을 각각 형성하는 공정;

상기 보호막(5)상의 전류가 주입될 영역에 수소 확산용 마스크 패턴(7)을 형성한 후, 이 패턴을 180∼200℃의 온도에서 1∼4시간 동안 열처리 공정을 수행하여 경화시키는 공정;

상기 마스크 패턴(7)을 이용하여 수소 플라즈마 분위기에서 수소이온을 확산시켜 마스크 패턴(7) 하부의 거울층과 활성층(또는 전류주입 영역)을 전기적으로 비활성화 시키고, 평탄화시킴과 아울러 전류주입 영역 및 소자간을 격리시킬 수 있는 비활성화 영역(8)을 형성하는 공정; 및

상기 공정을 통하여 격리된 전류주입 영역 위에 전면전극인 p형 전극(9)을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 비활성화 영역(8)의 형성공정의 조건은 수소 플라즈마 분위기와, 100∼300℃의 온도, 1×10-1∼10-4 torr의 수소 압력에서, 30분 내지 2시간 동안 수소화 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법

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