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이득유도 수직공진형 표면방출 레이저 다이오드의 제작방법에 있어서, 하부거울층(2), 활성층(3), 및 상부거울층(4)이 순차적으로 에피 성장된 수직공진형 레이저 구조를 갖는 소정의 화합물반도체 기판(1)의 전표면에 보호막(5)을, 기판(1)의 후면에는 n형 전극(6)을 각각 형성하는 공정; 상기 보호막(5)상의 전류가 주입될 영역에 수소 확산용 마스크 패턴(7)을 형성한 후, 이 패턴을 180∼200℃의 온도에서 1∼4시간 동안 열처리 공정을 수행하여 경화시키는 공정; 상기 마스크 패턴(7)을 이용하여 수소 플라즈마 분위기에서 수소이온을 확산시켜 마스크 패턴(7) 하부의 거울층과 활성층(또는 전류주입 영역)을 전기적으로 비활성화 시키고, 평탄화시킴과 아울러 전류주입 영역 및 소자간을 격리시킬 수 있는 비활성화 영역(8)을 형성하는 공정; 및 상기 공정을 통하여 격리된 전류주입 영역 위에 전면전극인 p형 전극(9)을 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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