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왜곡성장층을이용한금속/반도체접합쇼트키다이오드광소자

  • 기술번호 : KST2015095337
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 왜곡 성장층을 이용한 금속/반도체 접합 쇼트키 다이오드 광소자에 관한 것으로서 보다 상세하게는 화합물 반도체에서 전기광 흡수 효과를 갖는 다중양자우물(Multiple Quantum Well)구조를 금속/반도체접하 쇼트키 다이오드의 중간층으로 사용하는 광소자에 관한 것이다.특징적인 구성으로는 반 절연성 갈륨비소기판 위에 갈륨비소거울층과 알미늄비소거울층이 다수 주기적으로 성장되어 있고 그 위에 다시 n+ 혹은 p+반도체층이 성장되고 상기의 반도체층위에 전극 및 거울역할을 위한 쇼트키금속층을 성장시키기 위해 갈륨비소완충층을 성장시킨 금속/반도체접합 다이오드소자에 있어서, 상기 반도체층과 접합시 쇼트키 특성을 갖는 금속막사이의 중간층에 전기광흡수특성을 갖는 다중양자우물구조를 두어 금속층/다중양자층/반도체층으로 다이오드를 구성한 다이오드 구조로 구성함에 있으며, 또한 상기 다이오드는 전극, 열전도 및 거울 역할을 하는 금속막과 다층 반도체막 거울 사이에 공명 및 비공명조건을 갖는 구조로 단결정기판을 광학적 투명층으로 하기 위해 반도체거울층 및 다이오드 구조층의 일부 혹은 전부를 왜곡층으로 성장함에 있으며, 다이오드층이 성장된 기판의 반대면은 광학적 무반사막으로 처리하여 구성함에 있다.
Int. CL H01L 31/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019940030898 (1994.11.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0148597-0000 (1998.05.28)
공개번호/일자 10-1996-0019818 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19981015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권오균 대한민국 대전직할시대덕구
2 최영완 대한민국 서울특별시송파구
3 김광준 대한민국 대전직할시유성구
4 이일항 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0139401-92
2 특허출원서
Patent Application		 1994.11.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0139399-87
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0139400-46
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1994-0139402-37
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0139403-83
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0139404-28
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0077898-19
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0139407-65
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0139405-74
10 의견서
Written Opinion		 1998.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1994-0139406-19
11 등록사정서
Decision to grant		 1998.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0077899-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

발절연성 갈륨비소기판 위에 갈륨비소거울층과 알미늄비소거울층이 다수 주기적으로 성장되어 있고 그 위에 다시 n+ 혹은 p+반도체층에 성장되고 상기의 반도체층 위에 전극 및 거울 역할을 위한 쇼트키 금속층을 성장시키기 위해 갈륨비소완충층을 성장시킨 금속/반도체 접합 다이오드소자에 있어서, 상기 반도체층과 쇼트키 금속막 사이의 중간층에 전기광흡수특성을 갖는 다중양자우물구조를 두어 상기 쇼트키 금속층/다중양자층/반도체층으로 다이오드를 구성함을 특징으로 하는 왜곡 성장층을 이용한 금속/반도체 접합 쇼트키 다이오드 광소자

2 2

제1항에 있어서, 상기 다이오드는 전극, 열전도 및 거울 역할을 하는 금속막과 다층 반도체막 거울 사이에 공명 및 비공명조건을 갖는 구조로 단결정기판을 광학적 투명층으로 하기 위해 반도체거울층 및 다이오드 구조층의 일부 혹은 전부를 왜곡층으로 성장함을 특징으로 하는 왜곡 성장층을 이용한 금속/반도체 접합 쇼트키 다이오드 광소자

3 3

제1항에 있어서, 상기 다이오드는 상기 다이오드층이 성장딘 기판의 반대면은 광학적 무반사층으로 처리함을 특징으로 하는 왜곡 성장층을 이용한 금속/반도체 접합 쇼트키 다이오드 광소자

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02659693 JP 일본 FAMILY
2 JP08148701 JP 일본 FAMILY
3 US05488231 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2659693 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP8148701 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH08148701 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5488231 US 미국 DOCDBFAMILY
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