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실리콘양자간섭트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015095348
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Aharonov-Bohm 효과를 응용한 실리콘 양자간섭 트랜지스터(silicon quantum interference transistor)의 제조방법에 관한 것으로, 0.1㎛폭의 소자를 제조하는데 요구되는 다층 레지스트를 사용하는 대신 단층 레지스트와 SiO2 박막 식각공정을 이용하여 보다 간단히 오버행(overhang)구조를 형성하고, 아신(AsH3)가스 분위기에서 고온으로 열처리하여 전기 전도도를 증가시키며, 게이트 금속 단자면을 전자의 한쪽 통로 위에 소자의 성장면과 평행하게 올려놓음으로써 게이트 밑을 통과하는 전자가 정전압을 받도록 하여 게이트 전압의 요동에 의해 효과를 줄이고 낮은 게이트 임계전압 및 높은 상호 콘덕턴스(transconductance)를 갖도록 하는 것이 특징이다.
Int. CL H01L 29/73 (2006.01)
CPC H01L 29/66977(2013.01) H01L 29/66977(2013.01) H01L 29/66977(2013.01)
출원번호/일자 1019920006000 (1992.04.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0089997-0000 (1995.10.09)
공개번호/일자 10-1993-0022586 (1993.11.24) 문서열기
공고번호/일자 1019950007349 (19950710) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.04.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 대전직할시중구
2 박경호 대한민국 대전직할시중구
3 이성재 대한민국 서울특별시서초구
4 추혜용 대한민국 대전직할시대덕구
5 최상수 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033642-56
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033643-02
3 특허출원서
Patent Application		 1992.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033640-65
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.04.10 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033641-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0010949-77
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1995.02.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033644-47
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.03.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033645-93
8 의견서
Written Opinion		 1995.03.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0033646-38
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0010950-13
10 등록사정서
Decision to grant		 1995.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0010951-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판(1)위에 1㎛ 정도의 Si3N4층(2) 및 1000Å 정도의 SiO2층(3)을 각각 순차로 형성하는 제1공정을 포함하는 전자의 파동성을 이용한 양자간섭 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 상기 SiO2층(3)위에 폴리메타크릴산메틸(4)를 단층으로 도포한 후 패턴을 형성하고 현상시켜 개구를 형성하는 제2공정과 ; 단층 폴리메타크릴산메틸(4)의 상기 개구에 노출된 상기 SiO2층(3)을 등방향으로 식각하는 제3공정과 ; 소정의 두께로 실리콘 박막층(5)을 증착시킨 후 상기 단층 폴리메타크릴산메틸(4)를 리프트 오프시키고 노출되어 있는 상기 SiO2층(3)을 제거하는 제4공정과 ; 실리콘의 재결정화와 도오핑을 유도하기 위하여 소정의 분위기에서 열처리를 수행하여 전기 전도도를 향상시키는 제5공정과 ; SiO2층(6)을 약 0

2 2

제1항에 있어서, 상기 제5공정중 열처리를 위한 소정의 분위기는 혼합가스 분위기인 경우 열처리 온도는 약 400℃이며, 산소 분위기인 경우에 열처리 온도는 약 800℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 양자간섭 트랜지스터의 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 열처리시 혼합가스 분위기는 N2와 AsH3의 혼합가스 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자간섭 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.