소정두께의 제1절연막(23a)이 형성된 단결정 규소기판(21)의 일부를 개구하고, 노출된 규소기판(21)위에 선택적 에피택셜성장법(Selective Epitaxial Growth)을 이용하여 상기 제1절연막(23a)에 의해 격리된 활성층(31)을 형성하는 공정; 상기 제1절연막(23a)을 연마중지막으로 이용하여 상기 활성층(31)을 평탄화하는 공정;

평탄화된 기판의 전면에 제2절연막(23b)을 증착하고, 증착된 제2절연막(23b)의 전면에 접합기판(27)을 직접접합(direct bonding)시키는 공정; 및

상기 접합기판(27)이 하부층이 될 수 있도록 기판을 뒤집은 후, 상기 활성층(31)이 노출될 수 있도록 최상층이 된 상기 규소기판(21)을 제거하는 공정으로 이루어진 SOI(Silicon On Insulator)기판의 제조방법

제1항에 있어서,

상기 단결정 규소기판(21)의 개구공정시, 기판(21)의 표면손상을 방지하여 정합성이 우수한 활성층(31)을 형성하기 위하여, 제1절연막(23a)이 다층구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법

제2항에 있어서,

상기 다층구조의 제1절연막(23a)이 약 500Å정도의 두께를 갖는 SiO2층(23-1), 식각속도의 차이를 주기 위해 약 0

제1항에 있어서,

표면의 균일도 향상을 위하여, 상기 제2절연막(23b)을 증착후, 표면 연마 공정을 부가하는 SOI기판의 제조방법

직접 본딩(direct bonding)된 접합기판(27)의 전면에 형성된 제2절연층(23b)과, 상기 제2절연층(23b) 상부에 형성되어 평탄화된 제1절연층(23a)과 활성층(31)을 구비하고, 상기 활성층(31)은 제1절연층(23a)에 의해 격리된 SOI 기판을 형성하고 이 SOI 기판의 활성층(31)을 매몰 콜렉터로 이용하여 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,

(a) 상기 SOI기판의 전면에 산화막(42)을 형성하고, 사진식각 공정을 이용하여 상기 매몰 콜렉터(31)의 일부를 개구하여 활성 영역을 정의하는 공정;

(b) 상기 정의된 활성영역에 선택적으로 성장된 전도성 콜렉터층(44)과 진성 베이스 영역을 정의하기 위한 초박막의 규소산화막(46) 패턴을 형성하는 공정;

(c) 기판의 전면에 전도성 다결정 실리콘과 절연물들을 순차적으로 증착한 후 상기 초박막의 규소산화막(46)의 일부가 노출될 수 있도록 패터닝하여 외성베이스(47), 규소산화막(48) 및 질화막(49) 패턴을 형성하는 공정;

(d) 상기 공정을 통하여 형성된 패턴의 측면에 상기 외성 베이스(47)를 격리하기 위한 제1측벽막(50)을 형성하는 공정;

(e) 상기 초박막의 규소산화막(46) 패턴을 제거한 후, 이 식각부위에 진성 베이스(52)를 선택적으로 성장시키는 공정;

(f) 상기 제1측벽막(50)의 측면에 에미터 영역을 정의하기 위한 제2측벽막(54)을 형성한 후, 전도성 에미터(56)를 형성하는 공정; 및

(g) 각 전극(58)들을 형성하기 위한 금속배선 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기정렬 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

제5항에 있어서,

상기 (a)공정 전에 매몰 콜렉터(31)에 높은 도전성을 부여하기 위하여, 5×1018cm-3이상의 고농도로 불순물을 이온주입하는 공정을 부가한 것을 특징으로 하는 자기정렬 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

제5항에 있어서,

상기 (c)공정의 외성 베이스(47)는 CVD(chemical vapor deposition) 및 MBE(molecular beam epitaxy)중의 어느 하나의 방법에 의해 형성된 다결정규소로 이루어지며, 상기 규소산화막(48)은 열산화 및 증착공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

제7항에 있어서,

상기 규소산화막(48) 대신에, n-p-n 트랜지스터인 경우 붕소를 포함한 BSG(boron silica glass)를, p-n-p 트랜지스터인 경우 인을 포함한 PSG(phosphorous silica glass)로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기정렬 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

제5항에 있어서,

상기 (c)공정의 다결정 실리콘으로 이루어진 단층의 외성 베이스(47) 대신에 배선전극과의 오믹접합을 위해, 다결정 실리콘과 금속성 실리사이드가 적층된 이층막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기정렬 바이폴라 트랜지스터의 제조방법