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GaAs 기판위에, 그것과 이종의 III-V족 화합물 반도체 박막을 MOCVD에 의해 성장시키는 방법에 있어서, MOCVD장치로 제1의 원료 가스를 주입하는 것에 의해 상기 GaAs 기판 위에 그와 동종의 버퍼층을 소정의 두께로 성장시키는 단계와; 상기 버퍼층의 성장의 완료와 동시에, 상기 제1원료 가스의 상기 장치로의 공급을 소정의 제1의 시간 동안 중단시킨 후, 소정의 온도에서 소정의 제2의 시간동안 III족 원소를 함유하는 제2의 원료 가스만을 상기 장치로 주입하는 단계와; 상기 제2원료 가스의 주입이 완료된 후에는, V족 원소를 함유하는 제3의 원료가스를 상기 장치로 주입하는 것에 의해, 상기 버퍼층 위에, III족원소 대 V족원소의 비율이 1보다 큰 상기 III족 원소를 함유하는 이원계의 금속성 박층을 적어도 2nm 이하의 두께로 성장시키는 단계와; 상기 제3원료 가스의 주입으로부터 소정의 제3의 시간이 경과된 후, 지속되는 상기 제3원료 가스의 분위기에서, In과 Ga의 유량을 소정의 비율로 혼합하여 상기 장치로 주입하는 것에 의해, 상기 금속성 박층 위에 InGaAs 박층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 III-V족 화합물 반도체의 이차원 박막 성장방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 내지 제3의 시간은 각각 4초, 12초, 12초이고; 상기 소정의 온도는 약 420℃정도인 것을 특징으로 하는 III-V족 화합물 반도체의 이차원 박막 성장방법
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제1항에 있어서, 상기 제2의 원료 가스는 In 또는 Ga를 함유하고, 상기 제3의 원료 가스는 AsH3인 것을 특징으로 하는 III-V족 화합물 반도체의 이차원 박막 성장방법
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GaAs 기판 위에, 그것과 이종의 III-V족 화합물 반도체 박막을 MOCVD에 의해 성장시키는 방법에 있어서, MOCVD장치로 제1의 원료가스를 주입하는 것에 의해 상기 GaAs 기판 위에 그와 동종의 버퍼층을 소정의 두께로 성장시키는 단계와; 상기 버퍼층의 성장의 완료와 동시에, 상기 제1원료 가스의 상기 장치로의 공급을 소정의 제1의 시간동안 중단시킨 후, 소정의 온도에서 소정의 제2의 시간 동안 III족 원소를 함유하는 제2의 원료 가스만을 상기 장치로 주입하는 단계와; 상기 제2원료 가스의 주입이 완료된 후에는, V족 원소를 함유하는 제3의 원료가스를 상기 장치로 주입하는 것에 의해, 상기 버퍼층 위에, III족원소 대 V족원소의 비율이 1보다 큰 상기 III족 원소를 함유하는 이원계의 금속성 박층을 적어도 2nm이하의 두께로 성장 시키는 단계와; 상기 제3원료 가스의 주입으로부터 소정의 제3의 시간이 경과된 후, 지속되는 상기 제3원료 가스의 분위기에서, In과 Al의 유량을 소정의 비율로 혼합하여 상기 장치로 주입하는 것에 의해, 상기 금속성 박층 위에 InAlAs 박층을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 III-V족 화합물 반도체의 이차원 박막 성장방법
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제4항에 있어서, 상기 제1내지 제3의 시간은 각각 4초, 12초, 12초이고; 상기 소정의 온도는 약 500℃정도인 것을 특징으로 하는 III-V족 화합물 반도체의 이차원 박막 성장방법
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제4항에 있어서, 상기 제2의 원료 가스는 In 또는 Ga를 함유하고, 상기 제3의 원료가스는 AsH3인 것을 특징으로 하는 III-V족 화합물 반도체의 이차원 박막 성장방법
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