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이중절연막의립제거공정방법

  • 기술번호 : KST2015095394
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01)
출원번호/일자 1019860007438 (1986.09.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0031192-0000 (1990.01.16)
공개번호/일자 10-1988-0004555 (1988.06.07) 문서열기
공고번호/일자 1019890003905 (19891010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1986.09.05)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송규상 대한민국 전북익산군
2 장기호 대한민국 경북구미시공
3 권오준 대한민국 대전시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1986.09.05 수리 (Accepted) 1-1-1986-0042067-16
2 특허출원서
Patent Application
1986.09.05 수리 (Accepted) 1-1-1986-0042066-71
3 출원심사청구서
Request for Examination
1986.09.05 수리 (Accepted) 1-1-1986-0042068-62
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1989.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1986-0027775-19
5 의견서
Written Opinion
1989.06.24 수리 (Accepted) 1-1-1986-0042069-18
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1989.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1986-0027776-65
7 등록사정서
Decision to grant
1989.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1986-0027778-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

1차 산화실리콘 절연막 두께가 1200Å 이내이고, 2차 질화 실리콘 절연막 두께가 2500Å이내인 이중 절연막의 접촉 구멍 식각시에 식각 마스크로 2300~2700Å의 저온 증착 산화막(4)을 사용하여 감광막(5)의 접착력을 고려하여 음성 감광막(5)을 사용하며 저온 증착 산화막(4)의 수평 식각폭(6)을 조절하여 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.