실리콘 기판(1)의 상면에 증착된 절연층인 산화막(2)에 콘택트홀을 형성하는 방법에 있어서, 산화막(2)의 상면에 입힌 감광막(3)을 포토마스크 공정에 의해 콘택트홀 패턴(3a)을 형성하고 이를 마스크로 하여 적당한 깊이(h1)만큼 산화막(2)을 프레온계 가스 플라즈마를 이용하여 1차 콘택트홀(2a)을 건식식각하는 단계와, 감광막(3)을 원하는 넓이(W)만큼 산소 가스 플라즈마를 사용하여 건식식각하고 이를 마스크로 하여 산화막(2)을 프레온계 가스 플라즈마를 이용하여 적당한 깊이(h2)만큼 2차 콘택트홀(2b)을 건식식각하는 단계와, 산소 가스 플라즈마를 이용하여 감광막(3)을 넓혀주고 이를 마스크로 하여 프레온계 가스 플라즈마를 이용하여 산화막(2)을 깊이로 건식식각한 후, 탄소/불소 비가 높은 프레온계 가스 플라즈마를 사용하여 산화막(2)을 오우버 에치하는 단계와, H2SO4/H2O2 용액을 사용하여 상면의 감광막(3)을 제거하는 단계들에 의해 제조됨을 특징으로 하는 반도체 제조중 콘택트홀의 형성방법

제 1 항에 있어서, 산소 가스 플라즈마를 이용하여 감광막(3)을 넓게 건식식각하는 공정과 프레온계 가스 플라즈마를 이용하여 산화막을 깊이로 건식식각하는 공정의 횟수 및 시간을 조절하면서 계단면의 모양과 숫자를 원하는대로 조정하도록한 반도체 제조중 콘택트홀의 형성방법

제 1 항에 있어서, 상기 산화막(5)을 BPSG 또는 PSG등의 재질로 사용하고 섭시 1000도 정도의 고온에서 열처리하여 콘택트홀(2d)의 계단면의 모서리(6)을 더욱 완만하게 조절하도록한 반도체 제조중 콘택트홀의 형성방법