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건식식각및기계화학연마방법을사용한다결정규소평탄화공정방법

  • 기술번호 : KST2015095416
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 건식식각 및 기계화학적 연마방법을 사용한 다결정 규소 평탄화 공정방법에 관한 것으로서 종래에 기계화학적 연마방법의 트렌치 패턴 모서리에서 발생하는 패신(facet)및 디칭(dipping)현상에 의하여 구조물이 형성된 핸들웨이퍼와 씨드용 규소기편을 직접접합할때 접합계면에서 공백(void)가 형성되는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 구조물이 형성된 규소기판(10)위에 도포된 다결정규소막(11)을 평탄화시키는데 있어서CVD산화규소막(12)을 도포한 후 기계화학적 연마방법에 의하여 트렌지 패턴상부에 노출된 산화규소막(12)을 연마하여 하부 및 측벽에 있는 산화규소막을 남게하고, 상기 ,CVD산화규소막(12)과 다결정규소막(11)을 건식식각 선택비를 이용하여 제3도(d)와 같이 건식식각에 의하여닫결정 규소막을 식각하여 다결정규소 및 산화규소 측벽을 형성하는 공정을 제공함으로써 상기 핸들웨이퍼와 씨드용 규소기판을 직접접합하게되면 공백이 없는 접합계면을 형성하여 웨이퍼 노광 작업시 자동으로 조절 가능하며, 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/302 (2006.01)
CPC H01L 21/31051(2013.01) H01L 21/31051(2013.01) H01L 21/31051(2013.01) H01L 21/31051(2013.01)
출원번호/일자 1019930026790 (1993.12.08)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0113415-0000 (1997.03.24)
공개번호/일자 10-1995-0021170 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019960016826 (19961221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.08)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조덕호 대한민국 대전직할시서구
2 한태현 대한민국 대전직할시유성구
3 이수민 대한민국 대전직할시대덕구
4 염병렬 대한민국 대전직할시중구
5 권오준 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135523-25
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135524-71
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135525-16
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135526-62
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135527-18
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0062885-30
7 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0135528-53
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0062886-86
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

패턴크기가 상이한 구조물이 형성된 규소기판(10)을 형성하는 공정(a)과, 상기 규소기판(10)위에 트렌치패턴의 깊이보다 상대적으로 두껍게 다결정규소막(11)을 증착한 후, 소정의 두께 T만큼 CVD산화규소막(12)을 증착하는 공정(b)과, 기계화학적 연마방법에 의하여 트렌지 패턴 상부에 노출된 상기 CVD산화규소막(12)을 연마하여 하부 및 측벽에 있는 CVD산화규소막(12)을 남게하는 공정(c)과, 상기 노출된 다결정규소막(11)을 소정의 두께 H만큼 식각하되, 트렌치 측벽에는 다결정규소막(11) 및 CVD산화규소막(12)이 남게하는 공정(d)과, 상기 노출된 CVD산화규소막(12)을 습식식각에 의하여 제거한 후 다결정규소 스파이크(13)를 형성한 후 기계화학적 연마에 의하여 평탄화시키는 공정(e,f)을 포함하는 건식식각 및 기계화학적 연마방법을 사용한 다결정규소 평탄화 공정방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 CVD산화규소막(12)이 소정두께 T는 상기 다결정규소막(11) 두께 H및 상기 CVD산화규소막(12)과의 건식식각 선택비에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는 건식식각 및 기계화학적 연마방법을 사용한 다결정규소 평탄화 공정방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.