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GAAS기판의표면처리방법

  • 기술번호 : KST2015095422
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 GaAs 화합물 반도체를 전자소자로 응용하는데 거침돌이 되어 온 GaAs의 표면상태를 안정화시키고 표면상태 밀도로 낮출 수 있는 표면처리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 GaAs를 500℃이상의 온도로 가열할 때 GaAs의 표면으로부터 As원자가 빠져 나오는 현상을 이용하고, 이 상황에서 NH3가스를 플라즈마로 이온화시키는 과정에서 생성되는 여기된 질소 원자를 이용하여, As이 빠져 나온 GaAs 표면을 N원자로 치환시켜 밴드 갭이 큰 GaN를 GaAs 표면에 얇게 형성시킨다.
Int. CL H01L 21/304 (2006.01)
CPC H01L 21/3245(2013.01)
출원번호/일자 1019940016751 (1994.07.12)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0129133-0000 (1997.11.07)
공개번호/일자 10-1996-0005821 (1996.02.23) 문서열기
공고번호/일자 (19980407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.07.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 대전직할시중구
2 이성재 대한민국 서울특별시서초구
3 김경옥 대한민국 대전직할시중구
4 신민철 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.07.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0076255-11
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.07.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0076256-56
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.07.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0076257-02
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0076258-47
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0076259-93
6 등록사정서
Decision to grant		 1997.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0043048-97
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

세정 처리된 GaAs 기판이 들어 있는 고진공 상태의 소정 챔버내에 NH3가스를 넣은 후, 이 NH3가스를 플라즈마 생성으로 이온화시켜 여기된(exicited) 질소 원자를 형성시키는 단계 및 상기 GaAs 기판을 As 이온이 활성화 될 수 있을 정도의 온도로 가열하여 GaAs 표면에 GaN를 형성시키는 단계로 이루어진 암모니아 플라즈마 공정을 이용한 GaAs 기판의 표면 처리방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 플라즈마 생성 방법은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 GaAs 기판의 표면처리 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 NH3가스가 800 mTorr∼1 Torr 정도의 부분압으로 챔버를 채우는 것을 특징으로 하는 GaAs 기판의 표면 처리방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 GaAs 기판의 가열온도가 500℃이상의 급속 가열인 것을 특징으로 하는 GaAs 기판의 표면 처리방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.