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다층의 금속 배선 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015095485
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다층의 금속 배선 제조 방법에 관한 것으로서, 다층의 감광막을 이용한 리소그라피 공정과, 감광막과 절연막의 식각선택비를 이용하여 절연막 위에 다층의 금속 배선을 형성함으로써, 비아 홀(Via-Hole)과 배선 금속 증착을 위한 리소그라피 공정을 별도로 진행하지 않고, 한 번의 리소그라피 공정으로 진행할 수 있으며, 한 번의 노광을 통해 패턴이 형성됨으로써 오 정렬의 가능성을 줄일 수 있으며, 보다 간단하고, 안정적으로 다층의 금속 배선을 제작할 수 있다. 반도체 기판, 다층의 금속 배선, 다층의 감광막, 오믹금속층, 절연막, 감광막 패턴, 식각 공정, 리프트 오프 공정, 식각마스크.
Int. CL H01L 21/3205 (2009.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01)
CPC H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01)
출원번호/일자 1020070126841 (2007.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0942698-0000 (2010.02.09)
공개번호/일자 10-2009-0059795 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20100216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안호균 대한민국 대전 유성구
2 임종원 대한민국 대전 유성구
3 지홍구 대한민국 대전 유성구
4 장우진 대한민국 대전 서구
5 문재경 대한민국 대전 유성구
6 김해천 대한민국 대전 유성구
7 유현규 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0882287-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2008-0077516-62
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0273513-06
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0486079-74
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.08.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0486077-83
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0526154-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
활성층 및 캡층이 형성된 반도체 기판 상에 오믹 금속을 증착하여 소스 드레인 오믹금속층을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 전면에 제1 절연막을 증착하는 단계; 상기 제1 절연막과의 식각선택비를 고려하여 제1 다층 감광막을 증착하고 상기 제1 다층 감광막에 비아 홀이 형성될 영역에서는 상기 제1 절연막이, 제1 금속 배선을 위한 영역에서는 상기 제1 다층 감광막 중 하부 감광막이 노출되도록 형성된 제1 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제1 절연막의 식각 공정을 수행하는 단계; 식각된 제1 패턴 영역에 금속을 증착하여 제1 금속 배선을 형성하는 단계; 상기 제1 금속 배선이 형성된 기판 전면에 제2 절연막을 형성하는 단계; 상기 제2 절연막과의 식각선택비를 고려하여 제2 다층 감광막을 증착하고 상기 제2 다층 감광막에 비아 홀이 형성될 영역에서는 상기 제2 절연막이, 제2 금속 배선을 위한 영역에서는 상기 제2 다층 감광막 중 하부 감광막이 노출되도록 형성된 제2 패턴을 식각 마스크로 이용하여 제2 절연막의 식각 공정을 수행하는 단계; 식각된 제2 패턴 영역에 금속을 증착하여 제2 금속 배선을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 제2 금속 배선 상에 보호막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층의 금속 배선 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 절연막 식각 공정을 수행하는 단계 또는 제2 절연막의 식각 공정을 수행하는 단계는, 상기 제 1 절연막과 상기 제 1 다층 감광막의 하부 감광막 또는 상기 제 2 절연막과 상기 제 2 다층 감광막의 하부 감광막 사이의 식각선택비 및 절연막과 하부 감광막의 두께를 조절함으로써, 상기 제 1 절연막과 상기 제 1 금속 배선 사이의 간격 또는 상기 제 2 절연막과 상기 제 2 금속 배선 사이의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 다층의 금속 배선의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 금속 배선을 형성하는 단계는, 상기 식각된 제1 패턴 영역에 금속을 증착하는 단계; 및 리프트 오프 공정을 통해 상기 식각 공정 후 남은 제1 다층 감광막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층의 금속 배선 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제2 금속 배선을 형성하는 단계는, 상기 식각된 제2 패턴 영역에 금속을 증착하는 단계; 및 리프트 오프 공정을 통해 상기 식각 공정 후 남은 제2 다층 감광막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층의 금속 배선 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 다층 감광막은 하부 감광막이 PMMA로, 상부 감광막이 Co-polymer로 이루어진 것을 특징으로 하는 다층의 금속 배선 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 절연막은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, BCB, 다공성 산화막 및 저유전상수 물질막 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 다층의 금속 배선 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 정보통신부 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 60GHz Pico cell 통신용 SoP