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ＴＭ 모드 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015095541
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 TM 모드 발진을 안정적으로 제공하는 TM 모드 레이저 다이오드에 관한 것으로, 본 TM 모드 레이저 다이오드는 기판 상에 형성되는 n형 도핑층, 상기 n형 도핑층 상에 형성되는 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성되는 p형 도핑층을 포함하는 광 도파로; 상기 n형 도핑층, 상기 활성층 및 상기 p형 도핑층이 적층된 상기 광도파로의 양단부 중 적어도 일단부에 형성되어 횡자기파(TM; transverse magnetic) 모드를 반사시키는 광결정으로 이루어진 광결정 거울; 상기 기판 하부에 형성되는 n형 전극; 및 상기 p형 도핑층 상에 형성되는 p형 전극을 포함하되,상기 광결정은 주기적으로 형성된 다수의 공기홀을 포함하는 반도체막 또는 공기층 내에 다수의 반도체 막대가 주기적으로 배치된 형태이고 상기 광결정의 TM 모드는 상기 광결정의 전체 면적 중 상기 공기홀 또는 상기 반도체 막대가 차지하는 면적과 상기 광결정을 통과하는 주파수에 의해 결정되는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, TM 모드는 반사하고 TE 모드는 투과시키는 광결정을 거울로 사용하여, TE 모드가 큰 거울 손실로 인해 높은 문턱 이득을 가지도록 하여 안정적으로 TM 모드를 발진시킬 수 있다. 레이저 다이오드, TM 모드, 광결정, 광결정 거울
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01)
CPC H01S 3/09415(2013.01) H01S 3/09415(2013.01) H01S 3/09415(2013.01)
출원번호/일자 1020070054835 (2007.06.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0861719-0000 (2008.09.29)
공개번호/일자 10-2008-0052228 (2008.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20081009) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060122739   |   2006.12.06
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최중선 대한민국 대전 서구
2 권용환 대한민국 대전 유성구
3 이명현 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0409359-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014305-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0160768-79
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0365943-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0365949-97
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0494474-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
기판 상에 형성되는 n형 도핑층, 상기 n형 도핑층 상에 형성되는 활성층, 및 상기 활성층 상에 형성되는 p형 도핑층을 포함하는 광 도파로;상기 n형 도핑층, 상기 활성층 및 상기 p형 도핑층이 적층된 상기 광도파로의 양단부 중 적어도 일단부에 형성되어 횡자기파(TM; transverse magnetic) 모드를 반사시키는 광결정으로 이루어진 광결정 거울; 상기 기판 하부에 형성되는 n형 전극; 및상기 p형 도핑층 상에 형성되는 p형 전극을 포함하되,상기 광결정은 주기적으로 형성된 다수의 공기홀을 포함하는 반도체막 또는 공기층 내에 다수의 반도체 막대가 주기적으로 배치된 형태이고 상기 광결정의 TM 모드는 상기 광결정의 전체 면적 중 상기 공기홀 또는 상기 반도체 막대가 차지하는 면적과 상기 광결정을 통과하는 주파수에 의해 결정되는 TM 모드 레이저 다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 광결정 거울의 노출면에 형성된 무반사 코팅층을 더 포함하는 TM 모드 레이저 다이오드
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 n형 도핑층은 n-클래드층 및 n-도파로층을 포함하며, 상기 p형 도핑층은 p-클래드층 및 p-도파로층을 포함하는 TM 모드 레이저 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.